| 000 | 02531nam a2200409 i 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | vtls000416443 | ||
| 003 | RU-ToGU | ||
| 005 | 20210922021846.0 | ||
| 008 | 111123s2011 ru a f bm 000 0 rus d | ||
| 035 | _ato000416443 | ||
| 040 |
_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU |
||
| 072 | 7 |
_a01.04.10 _2nsnr |
|
| 080 | _a538.971:537.311.322:546.681'19(043.3) | ||
| 080 | _a538.911-022.532:537.311.322:546.681'19(043.3) | ||
| 100 | 1 |
_aСачков, Виктор Анатольевич _9242094 |
|
| 245 | 1 | 0 |
_aИсследование динамики решетки низкоразмерных реальных структур на основе GaAs/AlAs методом численного эксперимента _bдиссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 _cСачков Виктор Анатольевич ; науч. рук. В. В. Болотов ; Омск. филиал Ин-та физики полупроводников им. А. В. Ржанова, Сиб. отд-ние Рос. акад. наук |
| 260 |
_aОмск _b[б. и.] _c2011 |
||
| 300 |
_a150 л. _bил. |
||
| 504 | _aБиблиогр.: л. 134 - 150 | ||
| 650 | 7 |
_aфизика полупроводников _2nsnr _959579 |
|
| 653 | _aдиссертации | ||
| 653 | _aарсенид галлия, гетероструктуры | ||
| 653 | _aсверхрешетки арсенида галлия | ||
| 653 | _aквантовые проволоки арсенида галлия | ||
| 653 | _aквантовые точки арсенида галлия | ||
| 653 | _aкомбинационное рассеяние света, метод | ||
| 653 | _aнаноструктуры | ||
| 653 | _aквантование размерное носителей разряда | ||
| 653 | _aвычислительные эксперименты | ||
| 653 | _aповерхности полупроводников, структурная перестройка | ||
| 653 | _aфононы оптические, самоорганизация | ||
| 653 | _aэлектронный газ квазитрехмерный | ||
| 653 | _aфонон-плазмонное взаимодействие | ||
| 700 | 1 |
_aБолотов, Валерий Викторович. _4ths _9305293 |
|
| 852 | 4 |
_aRU-ToGU _nru |
|
| 999 | _c227587 | ||