Научная библиотека ТГУ catalog › Results of search for 'su:"зарядовая нейтральность"'

Search

Your search returned 7 results.

	1.	No cover image available Электронные, оптические и механические свойства кристаллов Ga1-x(Inx, Alx) Se, GaSe1-x(Sx,Tex) нелинейной оптики терагерцового диапазона диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Саркисов Сергей Юрьевич ; науч. рук. Брудный В. Н. ; Сиб. физ.-тех. ин-т им. В. Д. Кузнецова Том. гос. ун-та by Саркисов, Сергей Юрьевич \| Брудный, Валентин Натанович [ths] \| Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск). Material type: Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 2010Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	2.	No cover image available Влияние жесткой радиации на электронные, оптические и рекомбинационные свойства соединений (Al, Ga, In)-P, (Al, Ga)-As и их твердых растворов В. Н. Брудный by Брудный, Валентин Натанович \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	3.	No cover image available Электронная структура и уровень локальной электронейтральности политипов SiC из квазичастичных расчетов в рамках GW-приближения В. Н. Брудный, А. В. Кособуцкий by Брудный, Валентин Натанович \| Кособуцкий, Алексей Владимирович \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Журнал экспериментальной и теоретической физикиMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	4.	No cover image available Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN В. Н. Брудный by Брудный, Валентин Натанович \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	5.	No cover image available Электрофизические и физико-химические свойства омических контактов для соединений III-N В. Н. Брудный, М. Д. Вилисова, Л. Э. Великовский [и др.] by Вилисова, Мария Дмитриевна \| Великовский, Леонид Эдуардович \| Сим, Павел Евгеньевич \| Брудный, Павел Александрович \| Брудный, Валентин Натанович. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	6.	No cover image available Зарядовая нейтральность в полупроводниках: дефекты, границы раздела, поверхность В. Н. Брудный by Брудный, Валентин Натанович \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	7.	No cover image available Уровень зарядовой нейтральности и электронные свойства межфазных границ в слоистом полупроводнике ε-GaSe В. Н. Брудный, С. Ю. Саркисов, А. В. Кособуцкий by Брудный, Валентин Натанович \| Саркисов, Сергей Юрьевич \| Кособуцкий, Алексей Владимирович \| Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)