Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Your search returned 3 results.

1.
No cover image available
Зависимость свойств ионно-легированных слоев GaAs : Si от дозы имплантации после радиационного отжига М. В. Ардышев, В. М. Ардышев, В. Ф. Пичугин

by Ардышев, Михаил Вячеславович | Ардышев, Михаил Вячеславович | Пичугин, Владимир Федорович.

Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
Log in to add tags Add to cart
2.
No cover image available
Концентрационные профили Si, имплантированного в GaAs, после радиационного отжига В. М. Ардышев, М. В. Ардышев, С. С. Хлудков

by Ардышев, Вячеслав Михайлович | Ардышев, Михаил Вячеславович | Хлудов, С. С.

Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
Log in to add tags Add to cart
3.
No cover image available
Влияние зарядового состояния радиационных дефектов на процессы их генерации и отжига в соединениях GaAs и InP В. В. Пешев, А. П. Суржиков

by Пешев, Владимир Викторович | Суржиков, Анатолий Петрович.

Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
Log in to add tags Add to cart