Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

    • Your search returned 3 results.

    1.
    No cover image available
    Применение метода фототока p - n перехода для измерения параметров полупроводниковых материалов И. М. Котина, Н. Е. Мазурик, С. Р. Новиков ; Акад. наук СССР, Физ-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе

    by Котина, Ирина Михайловна | Мазурик, Н. Е | Новиков, С. Р.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Ленинград [б. и.] 1970Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    2.
    No cover image available
    Точечные дефекты в полупроводниках экспериментальные аспекты Ж. Бургуэн, М. Ланно ; пер. с англ. Ю. М. Гальперина [и др.] ; под ред. В. Л. Гуревича

    by Бургуэн, Жак | Ланно, Мишель | Гуревич, В. Л [edt].

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Москва Мир 1985Other title: Point Defects in Semiconductors.Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    3.
    No cover image available
    Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями П. М. Карагеоргий-Алкалаев, А. Ю. Лейдерман ; под ред. М. С. Саидова ; Акад. наук УзССР, Физ.-техн. ин-т им. С. В. Стародубцева

    by Карагеоргий-Алкалаев, Павел Михайлович | Лейдерман, Ада Юльевна | Саидов, М. С [edt].

    Material type: Text Text; Format: print ; Audience: Specialized; Publication details: Ташкент ФАН 1981Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart