Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Your search returned 2 results.

1.
Влияние зарядового состояния радиационных дефектов на процессы их генерации и отжига в соединениях GaAs и InP В. В. Пешев, А. П. Суржиков

by Пешев, Владимир Викторович | Суржиков, Анатолий Петрович.

Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
2.
Исследование дифференциального сопротивления МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями для ИК-детекторов А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, С. Н. Несмелов [и др.]

by Кульчицкий, Николай Александрович | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Сидоров, Георгий Юрьевич.

Source: XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференцииMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Investigation of differential resistance of MIS structures based on MBE n-Hg0.78Cd0.22Te with near-surface graded-gap layers for IR detectors.Online access: Click here to access online Availability: No items available :