Исследование способов получения и временной стабильности нанослоев GaSe и InSe Р. А. Редькин, Д. А. Кобцев, С. А. Березная [и др.]
Material type:![Article](/opac-tmpl/lib/famfamfam/AR.png)
Библиогр.: 16 назв.
Ограниченный доступ
Нанослои GaSe и InSe получены на подложках из кремния методами механического отслоения и осаждения из паровой фазы. С помощью атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхностей и определены толщины получаемых нанослоев InSe и GaSe, а также их временная стабильность. Установлено соответствие спектрального положения пиков комбинационного рассеяния положению пиков, известных для объемных и наноразмерных образцов InSe и GaSe.
There are no comments on this title.