Normal view
MARC view
Униполярные nBn-структуры и детекторы на основе HgCdTe А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]
Material type:![Article](/opac-tmpl/lib/famfamfam/AR.png)
No physical items for this record
Библиогр.: 10 назв.
Изготовлены многослойные униполярные гетероэпитаксиальные структуры на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs(013). Результаты экспериментальных исследований темновых токов и адмиттанса свидетельствуют о возможности использования созданных nBn-структур при разработках эффективных инфракрасныхдетекторов для спектрального диапазона 3–5 мкм.
There are no comments on this title.