|
|
1.
|
|
|
|
2.
|
|
|
|
3.
|
|
|
|
4.
|
|
|
|
5.
|
Low thermal gradient Czochralski growth of large MWO4 (M = Zn, Cd) crystals, and microstructural and electronic properties of the (010) cleaved surfaces V. V. Atuchin, V. L. Bekenev, Y. A. Borovlev [et al.] by Bekenev, V. L | Borovlev, Yu. A | Galashov, Eugeniy N | Khyzhun, Oleg Y | Kozhukhov, A. S | Pokrovsky, Lev D | Zhdankov, V. N | Atuchin, Victor V. Source: Journal of optoelectronics and advanced materialsMaterial type:  Article; Format:
electronic
available online
 Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
6.
|
Особенности структуры монокристаллов GaAs, легированных кремнием, выращенных методом Чохральского из-под слоя флюса B2O3 В. Т. Бублик, К. Д. Щербачев, Е. В. Жевнеров, А. В. Марков by Бублик, Владимир Тимофеевич | Щербачев, Кирилл Дмитриевич | Жевнеров, Евгений Владимирович | Марков, Александр Владимирович физик. Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
7.
|
|
|
|
8.
|
|
|
|
9.
|
Роль нестехиометрии в установлении содержания остаточного углерода в арсениде галлия В. В. Резвицкий, Г. Н. Семенова, Л. Г. Шепель, А. Хрубан by Резвицкий, В. В | Семенова, Г. Н | Шепель, Л. Г | Хрубан, А. Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
10.
|
|
|
|
11.
|
|
