Научная библиотека ТГУ catalog › Results of search for 'su:"Странского-Крастанова переход"'

Search

Your search returned 6 results.

	1.	No cover image available Critical thickness of transition from 2D to 3D growth and peculiarities of quantum dots formation in GexSi1-x/Sn/Si and Ge1-ySny/Si systems K. A. Lozovoy, A. P. Kokhanenko, A. V. Voitsekhovskii by Lozovoy, Kirill A \| Kokhanenko, Andrey P \| Voytsekhovskiy, Alexander V. Source: Surface scienceMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	2.	No cover image available Зависимость критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в системе GexSi1-x/Si от температуры и состава А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой by Войцеховский, Александр Васильевич \| Коханенко, Андрей Павлович \| Лозовой, Кирилл Александрович \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ. Source: Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладовMaterial type: Article; Format: electronic available online ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	3.	No cover image available Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский by Лозовой, Кирилл Александрович \| Коханенко, Андрей Павлович \| Войцеховский, Александр Васильевич. Source: Актуальные проблемы радиофизики : VII Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 18-22 сентября 2017 г. : сборник трудовMaterial type: Article; Format: electronic available online ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Calculation of а critical thickness of Stranski-Krastanow transition in GeSi/Sn/Si system.Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	4.	No cover image available Comparison of the growth processes of germanium quantum dots on the Si (100) and Si(111) surfaces A. P. Kokhanenko, K. A. Lozovoy, A. V. Voitsekhovskii by Kokhanenko, Andrey P \| Lozovoy, Kirill A \| Voytsekhovskiy, Alexander V. Source: Russian physics journalMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	5.	No cover image available Comparative analysis of germanium-silicon quantum dots formation on Si(100), Si(111) and Sn/Si(100) surfaces K. A. Lozovoy, A. P. Kokhanenko, A. V. Voitsekhovskii by Lozovoy, Kirill A \| Kokhanenko, Andrey P \| Voytsekhovskiy, Alexander V. Source: NanotechnologyMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	6.	No cover image available Динамика сверхструктурных переходов при низкотемпературном росте наноструктур по Странскому-Крастанову К. А. Лозовой, В. В. Дирко, А. П. Коханенко [и др.] by Лозовой, Кирилл Александрович \| Дирко, Владимир Владиславович \| Коханенко, Андрей Павлович \| Кукенов, Олжас Игоревич \| Винарский, Владимир Петрович. Source: Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVI Международного симпозиума, 14-17 марта 2022 г., Нижний НовгородMaterial type: Article; Format: electronic available online ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)