Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Транспорт носителей заряда и перезарядка глубоких уровней в структурах для лавинных S-диодов на основе GaAs И. А. Прудаев, М. Г. Верхолетов, А. Д. Королева, О. П. Толбанов

Contributor(s): Верхолетов, Максим Георгиевич | Королева, Анастасия Дмитриевна | Толбанов, Олег Петрович | Прудаев, Илья АнатольевичMaterial type: ArticleArticleSubject(s): носители зарядов | полупроводниковые структуры | лавинные S-диоды | перезарядка глубоких уровнейGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Письма в журнал технической физики Т. 44, вып. 11. С. 21-29Abstract: Представлены результаты исследования процессов переноса носителей заряда и перезарядки глубоких уровней в полупроводниковых структурах для лавинных S-диодов. Исследованы арсенид-галлиевые структуры n+-pi-nu-n-типа с диффузионным распределением глубокого акцептора железа. В ходе решения уравнений непрерывности и Пуассона с использованием коммерческого пакета проектирования обнаружено влияние инжекции электронов на напряжение лавинного пробоя, а также эффект расширения области пространственного заряда за счет захвата лавинных дырок на отрицательные ионы железа в pi-области. Сравнение результатов численного расчета с экспериментальными данными показывает, что S-образная вольт-амперная характеристика диффузионных лавинных S-диодов необъяснима с позиций ранее предложенного механизма захвата лавинных дырок на глубокие уровни железа.
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
No physical items for this record

Библиогр.: 12 назв.

Представлены результаты исследования процессов переноса носителей заряда и перезарядки глубоких уровней в полупроводниковых структурах для лавинных S-диодов. Исследованы арсенид-галлиевые структуры n+-pi-nu-n-типа с диффузионным распределением глубокого акцептора железа. В ходе решения уравнений непрерывности и Пуассона с использованием коммерческого пакета проектирования обнаружено влияние инжекции электронов на напряжение лавинного пробоя, а также эффект расширения области пространственного заряда за счет захвата лавинных дырок на отрицательные ионы железа в pi-области. Сравнение результатов численного расчета с экспериментальными данными показывает, что S-образная вольт-амперная характеристика диффузионных лавинных S-диодов необъяснима с позиций ранее предложенного механизма захвата лавинных дырок на глубокие уровни железа.

There are no comments on this title.

to post a comment.
Share