Адмиттанс органических светодиодных структур с эмиссионным слоем ЯК-203 А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]
Material type:
ArticleSubject(s): органические полупроводники | светодиодная структура | вольт-амперная характеристика | адмиттанс | метод эквивалентных схем | частотная зависимость мнимой части импеданса | подвижность носителей заряда | переходная электролюминесценцияGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 62, № 2. С. 107-113Abstract: В широком диапазоне условий измерения экспериментально исследованы вольт-амперные характеристики и адмиттанс многослойных структур для органических светодиодов на основе системы PEDOT:PSS/NPD/ЯК-203/BCP. Показано, что при напряжениях, соответствующих эффективной излучательной рекомбинации носителей заряда, наблюдается значительное уменьшение дифференциальной емкости структур. Частотные зависимости приведенной проводимости светодиодных структур хорошо согласуются с результатами численного моделирования в рамках метода эквивалентных схем. Изменения частотных зависимостей адмиттанса при изменении температуры наиболее выражены в диапазоне 200–300 К и менее заметны в области температур 8–200 К. Из частотных зависимостей мнимой части импеданса найдены подвижности носителей заряда при различных смещениях и температурах. Значения подвижности, полученные по использованной методике, несколько меньше значений, определенных методом переходной электролюминесценции. Зависимость подвижности от электрического поля хорошо аппроксимируется линейной функцией, при снижении температуры от 300 до 220 К подвижность уменьшается в несколько раз.
Библиогр.: 31 назв.
Ограниченный доступ
В широком диапазоне условий измерения экспериментально исследованы вольт-амперные характеристики и адмиттанс многослойных структур для органических светодиодов на основе системы PEDOT:PSS/NPD/ЯК-203/BCP. Показано, что при напряжениях, соответствующих эффективной излучательной рекомбинации носителей заряда, наблюдается значительное уменьшение дифференциальной емкости структур. Частотные зависимости приведенной проводимости светодиодных структур хорошо согласуются с результатами численного моделирования в рамках метода эквивалентных схем. Изменения частотных зависимостей адмиттанса при изменении температуры наиболее выражены в диапазоне 200–300 К и менее заметны в области температур 8–200 К. Из частотных зависимостей мнимой части импеданса найдены подвижности носителей заряда при различных смещениях и температурах. Значения подвижности, полученные по использованной методике, несколько меньше значений, определенных методом переходной электролюминесценции. Зависимость подвижности от электрического поля хорошо аппроксимируется линейной функцией, при снижении температуры от 300 до 220 К подвижность уменьшается в несколько раз.
There are no comments on this title.