Normal view
MARC view
Униполярные nBn-структуры и детекторы на основе HgCdTe А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Subject(s): nBn-структуры | гетероэпитаксиальные структуры на основе HgCdTeGenre/Form: статьи в сборниках Online resources: Click here to access online
In:
Нанофизика и наноэлектроника : труды XXV Международного симпозиума, 9-12 марта 2021 г., Нижний Новгород Т. 2 : Секция 3. С. 603-604Abstract: Изготовлены многослойные униполярные гетероэпитаксиальные структуры на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs(013). Результаты экспериментальных исследований темновых токов и адмиттанса свидетельствуют о возможности использования созданных nBn-структур при разработках эффективных инфракрасныхдетекторов для спектрального диапазона 3–5 мкм.
No physical items for this record
Библиогр.: 10 назв.
Изготовлены многослойные униполярные гетероэпитаксиальные структуры на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs(013). Результаты экспериментальных исследований темновых токов и адмиттанса свидетельствуют о возможности использования созданных nBn-структур при разработках эффективных инфракрасныхдетекторов для спектрального диапазона 3–5 мкм.
There are no comments on this title.