Осаждение многослойного покрытия в газометаллическом пучково-плазменном образовании при низком давлении В. В. Денисов, Ю. А. Денисова, Э. Л. Варданян [и др.]
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Subject(s): многослойные покрытия | пучково-плазменные образования | вакуумно-дуговое осаждение | плазменное ассистирование | разряды низкого давления | газометаллическая плазмаGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 64, № 1. С. 125-129Abstract: Вакуумно-дуговым плазменно-ассистированным методом проведено осаждение многослойного покрытия на основе Ti и Al в двух разрядных системах - в традиционной системе плазменно-ассистированного вакуумно-дугового напыления и в системе генерации газометаллических пучково-плазменных образований, формируемых в полом катоде несамостоятельного тлеющего разряда низкого давления. Полученные в исследуемых разрядных схемах покрытия близки по элементному и фазовому составу. В покрытии, напыленном в пучково-плазменном образовании, содержание алюминия ниже на 8 %, что, вероятно, связано с совокупной более высокой средней величиной плотности потока ионов на поверхность растущей пленки в несамостоятельном тлеющем разряде. В этом покрытии отсутствуют элементы, входящие в состав материала распыляемого полого катода. Газометаллические пучково-плазменные образования, формируемые при низком давлении, перспективны в процессах нанесения функциональных покрытий вакуумно-дуговым плазменно-ассистированным методом.
Библиогр.: 8 назв.
Ограниченный доступ
Вакуумно-дуговым плазменно-ассистированным методом проведено осаждение многослойного покрытия на основе Ti и Al в двух разрядных системах - в традиционной системе плазменно-ассистированного вакуумно-дугового напыления и в системе генерации газометаллических пучково-плазменных образований, формируемых в полом катоде несамостоятельного тлеющего разряда низкого давления. Полученные в исследуемых разрядных схемах покрытия близки по элементному и фазовому составу. В покрытии, напыленном в пучково-плазменном образовании, содержание алюминия ниже на 8 %, что, вероятно, связано с совокупной более высокой средней величиной плотности потока ионов на поверхность растущей пленки в несамостоятельном тлеющем разряде. В этом покрытии отсутствуют элементы, входящие в состав материала распыляемого полого катода. Газометаллические пучково-плазменные образования, формируемые при низком давлении, перспективны в процессах нанесения функциональных покрытий вакуумно-дуговым плазменно-ассистированным методом.
There are no comments on this title.