Формирование периодических поверхностных структур и фазовые изменения в аморфных тонких пленках Ge2Sb2Te5, отожженных фемтосекундными лазерными импульсами А. В. Колчин, Д. В. Шулейко, Д. Е. Преснов [и др.]
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Other title: Formation of periodic surface structures and phase changing in amorphous Ge2Sb2Te5 thin films annealed by femtosecond laser pulses [Parallel title]Subject(s): халькогениды | тонкие пленки | фемтосекундные лазерные импульсы | метаповерхностиGenre/Form: статьи в сборниках Online resources: Click here to access online
In:
IX Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов С. 390-391Abstract: Методами сканирующей электронной микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света были исследована: тонкие аморфн^:е пленки ОсгВЬгХсз, обработанн^:е фемгосекундн^тми лазерн^:ми импульсами. Обнаружено, что в результате отжига возникают фазовые изменения, а также формируются периодические структуры на поверхности.
Thin amorphous Ge2Sb2Tc5 thin films annealed by femtosecond laser pulses were studied by scanning electron microscopy and Raman spectroscopy. Formation of periodic surface structures and phase changing was observed in modified films as a result of obsereved such laser annealing.
Библиогр.: 4 назв.
Методами сканирующей электронной микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света были исследована: тонкие аморфн^:е пленки ОсгВЬгХсз, обработанн^:е фемгосекундн^тми лазерн^:ми импульсами. Обнаружено, что в результате отжига возникают фазовые изменения, а также формируются периодические структуры на поверхности.
Thin amorphous Ge2Sb2Tc5 thin films annealed by femtosecond laser pulses were studied by scanning electron microscopy and Raman spectroscopy. Formation of periodic surface structures and phase changing was observed in modified films as a result of obsereved such laser annealing.
There are no comments on this title.