Подбарьерный и надбарьерный перенос электронов через многослойные полупроводниковые структуры Р. Я. Расулов, В. Р. Расулов, Н. З. Мамадалиева, Р. Р. Султанов
Material type:
ArticleSubject(s): полупроводники | многослойные структуры | потенциальные ямы | потенциальные барьеры | волновая функция электрона | электроны | численное моделирование | энергия электронов | коэффициент пропусканияGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 63, № 4. С. 8-15Abstract: Рассчитаны коэффициенты прозрачности полупроводниковой структуры, состоящей из чередующихся асимметричных потенциальных барьеров и ям, где учтено условие Бастарда. Показано, что в структуре наблюдается осцилляция коэффициента прохождения электронов в зависимости от их энергии, которая обусловлена интерференцией волн де Бройля, идущих к барьеру и отраженных от потенциального барьера. Проанализированы электронные состояния многослойной полупроводниковой структуры, состоящей из чередующихся потенциальных ям и барьеров.
Библиогр.: 18 назв.
Ограниченный доступ
Рассчитаны коэффициенты прозрачности полупроводниковой структуры, состоящей из чередующихся асимметричных потенциальных барьеров и ям, где учтено условие Бастарда. Показано, что в структуре наблюдается осцилляция коэффициента прохождения электронов в зависимости от их энергии, которая обусловлена интерференцией волн де Бройля, идущих к барьеру и отраженных от потенциального барьера. Проанализированы электронные состояния многослойной полупроводниковой структуры, состоящей из чередующихся потенциальных ям и барьеров.
There are no comments on this title.