Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Плазменное травление в технологии InAlN/GaN HEMT И. А. Филиппов, В. А. Шахнов, Л. Э. Великовский [и др.]

Contributor(s): Шахнов, Вадим Анатольевич | Великовский, Леонид Эдуардович | Брудный, Павел Александрович | Демченко, Ольга Игоревна | Филиппов, Иван АндреевичMaterial type: ArticleArticleSubject(s): плазменное травление | электроны | гетероструктуры | полевые транзисторыGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Известия высших учебных заведений. Физика Т. 63, № 1. С. 84-87Abstract: Проанализированы экспериментальные данные по плазменному травлению суб-100-нм затворных щелей в транзисторах с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе гетероструктур InAlN/GaN. Рассмотрено влияние параметров процесса плазменного травления на деградацию параметров InAlN/GaN HEMT. Показана возможность формирования затворной щели длиной 70 нм в InAlN/GaN HEMT с помощью реактивного ионного травления в Si3N4 толщиной 105 нм.
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
No physical items for this record

Библиогр.: 14 назв.

Ограниченный доступ

Проанализированы экспериментальные данные по плазменному травлению суб-100-нм затворных щелей в транзисторах с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе гетероструктур InAlN/GaN. Рассмотрено влияние параметров процесса плазменного травления на деградацию параметров InAlN/GaN HEMT. Показана возможность формирования затворной щели длиной 70 нм в InAlN/GaN HEMT с помощью реактивного ионного травления в Si3N4 толщиной 105 нм.

There are no comments on this title.

to post a comment.
Share