Плазменное травление в технологии InAlN/GaN HEMT И. А. Филиппов, В. А. Шахнов, Л. Э. Великовский [и др.]
Material type:![Article](/opac-tmpl/lib/famfamfam/AR.png)
Библиогр.: 14 назв.
Ограниченный доступ
Проанализированы экспериментальные данные по плазменному травлению суб-100-нм затворных щелей в транзисторах с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе гетероструктур InAlN/GaN. Рассмотрено влияние параметров процесса плазменного травления на деградацию параметров InAlN/GaN HEMT. Показана возможность формирования затворной щели длиной 70 нм в InAlN/GaN HEMT с помощью реактивного ионного травления в Si3N4 толщиной 105 нм.
There are no comments on this title.