Магнитное продолжение как эффективный способ получения фазы квантового аномального эффекта Холлав топологических изоляторах М. М. Отроков, Т. В. Меньщикова, И. П. Русинов и др.
Material type:
ArticleSubject(s): топологические изоляторы | поверхности | магнетизм | изоструктурные магнитные изоляторы | тонкие пленки | тетрадимитоподобные соединения | Холла эффектGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики Т. 105, вып. 5. С. 275-281Abstract: Предложен новый и эффективный способ наведения магнетизма на поверхности топологического изолятора, заключающийся в нанесении на нее тонкой пленки изоструктурного магнитного изолятора, имеющего атомный состав, максимально схожий с топологическим материалом. Такой дизайн позволяет избежать формирование сильного интерфейсного потенциала между подсистемами, вследствие чего топологическое состояние свободно проникает в магнитную область, где взаимодействует с обменным полем и испытывает значительное расщепление в точке Дирака. Показано, что применение данного подхода к тонким пленкам тетрадимитоподобного топологического изолятора позволяет реализовать фазу квантового аномального эффекта Холла с размером запрещенной щели в несколько десятков миллиэлектронвольт.
Библиогр.: 43 назв.
Предложен новый и эффективный способ наведения магнетизма на поверхности топологического изолятора, заключающийся в нанесении на нее тонкой пленки изоструктурного магнитного изолятора, имеющего атомный состав, максимально схожий с топологическим материалом. Такой дизайн позволяет избежать формирование сильного интерфейсного потенциала между подсистемами, вследствие чего топологическое состояние свободно проникает в магнитную область, где взаимодействует с обменным полем и испытывает значительное расщепление в точке Дирака. Показано, что применение данного подхода к тонким пленкам тетрадимитоподобного топологического изолятора позволяет реализовать фазу квантового аномального эффекта Холла с размером запрещенной щели в несколько десятков миллиэлектронвольт.
There are no comments on this title.