Normal view
MARC view
Переходные процессы в полупроводниковых и диэлектрических диодах диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук В. И. Гаман ; Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева, Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова
Material type:
TextPublication details: Томск [б. и.] 1969Description: 367 л. илSubject(s): диссертации | полупроводниковые диоды | диэлектрические диоды | переходные процессы | фотодиоды | рекомбинация носителей заряда в полупроводниках | рекомбинация носителей заряда в диэлектриках | ионизирующие излучения | время жизни носителей заряда | вольтамперные характеристики | магнитные поля | защитные покрытия полупроводниковых диодов | металл-диэлектрик-металл (МДМ), переходные процессы | металл-диэлектрик-полупроводник (МДП), переходные процессы | металл-полупроводник, переходные процессыGenre/Form: диссертации Online resources: Click here to access online
| Item type | Current library | Call number | Status | Date due | Barcode |
|---|---|---|---|---|---|
| Выдается в читальный зал | Книгохранилище | 2-017675 (Browse shelf (Opens below)) | Available | 13820000885072 |
Библиогр.: л. 349-363
Доступ в сети ТГУ
There are no comments on this title.