Компоненты темнового тока nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для широкого диапазона напряжений смещения А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух, Д. И. Горн [и др.]
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Other title: Dark current components of nB(SL)n structures based on HgCdTe for a wide range of bias voltages [Parallel title]Subject(s): HgCdTe | nBn-структура | сверхрешетки | электрические характеристики | темновые токи | теллурид кадмия ртутиGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Прикладная физика № 4. С. 78-86Abstract: Представлены результаты исследований темновых токов nB(SL)n-структур со сверхрешёткой (СР) в барьерной области на основе Hg1-xCdxTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в широком диапазоне условий проведения эксперимента. Темновые токи измерялись в диапазоне температур от 11 К до 300 К для мезаструктур с различными диаметрами поперечного сечения. Определены температурные зависимости объемной компоненты плотности темнового тока и плотности тока поверхностной утечки. Показано, что в исследованных структурах вольтамперные характеристики (ВАХ) формируются как объемной, так и поверхностной составляющими тока в зависимости от температуры и напряжения смещения.
Библиогр.: 9 назв.
Представлены результаты исследований темновых токов nB(SL)n-структур со сверхрешёткой (СР) в барьерной области на основе Hg1-xCdxTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в широком диапазоне условий проведения эксперимента. Темновые токи измерялись в диапазоне температур от 11 К до 300 К для мезаструктур с различными диаметрами поперечного сечения. Определены температурные зависимости объемной компоненты плотности темнового тока и плотности тока поверхностной утечки. Показано, что в исследованных структурах вольтамперные характеристики (ВАХ) формируются как объемной, так и поверхностной составляющими тока в зависимости от температуры и напряжения смещения.
There are no comments on this title.