Анализ тепловых эффектов, возникающих при взаимодействии электронных пучков с сегнетоэлектрическими кристаллами А. Г. Масловская
Material type:![Article](/opac-tmpl/lib/famfamfam/AR.png)
Библиогр.: 10 назв.
Проведено моделирование пространственного нестационарного температурного распределения в модельном сегнетоэлектрическом образце под воздействием электронных пучков растрового электронного микроскопа (РЭМ). Представлено решение задачи о влиянии сфокусированных источников тепла различных конфигураций на монокристалл сегнетоэлектрика и на кристалл с нанесенными на грани электродами. Реализация модели основана на методе конечных разностей. Предложено программное приложение, позволяющее рассчитать температурные поля и максимальную температуру перегрева при заданных теплофизических характеристиках образца и параметрах эксперимента для различных типов растровых электронных микроскопов.
There are no comments on this title.