Электропроводящие и фотоэлектрические свойства гетероструктур на основе оксидов галлия и хрома со структурой корунда Д. А. Алмаев, А. В. Алмаев, В. В. Копьев [и др.]
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Subject(s): оксид галлия | оксиды хрома | корунд | анизотипные гетероструктурыGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Письма в журнал технической физики Т. 48, № 22. С. 24-27Abstract: Методами хлоридной парофазной эпитаксии и магнетронного распыления получены гетероструктуры α-Ga2O3/α-Cr2O3 со структурой корунда. Исследованы структурные, электропроводящие и фотоэлектрические свойства полученных образцов. Установлено, что гетероструктуры α-Ga2O3/α-Cr2O3 демонстрируют слабые выпрямительные свойства и в сравнении с пленками α-Ga2O3 обладают более высоким быстродействием при воздействии ультрафиолетового излучения. Ключевые слова: оксид галлия, оксид хрома, корунд, анизотипные гетероструктуры.
Библиогр.: 16 назв.
Методами хлоридной парофазной эпитаксии и магнетронного распыления получены гетероструктуры α-Ga2O3/α-Cr2O3 со структурой корунда. Исследованы структурные, электропроводящие и фотоэлектрические свойства полученных образцов. Установлено, что гетероструктуры α-Ga2O3/α-Cr2O3 демонстрируют слабые выпрямительные свойства и в сравнении с пленками α-Ga2O3 обладают более высоким быстродействием при воздействии ультрафиолетового излучения. Ключевые слова: оксид галлия, оксид хрома, корунд, анизотипные гетероструктуры.
There are no comments on this title.