Исследование свойств пленок HfO2, выращенных методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения при разных температурах роста Д. В. Горшков, Е. Р. Закиров, Г. Ю. Сидоров [и др.]
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Other title: Studying the properties of HfO2 films grown by plasma-enhanced atomic layer deposition at different growth temperatures [Parallel title]Subject(s): плазменно-стимулированное атомно-слоевое осаждение | рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия | вольт-фарадные характеристики | тонкие пленкиGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 6. С. 111-119Abstract: Изучены свойства тонких пленок HfO2, выращенных методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения с удаленной плазмой кислорода при температурах в диапазоне 80–160 °C. Для каждой температуры определено оптимальное время пост-плазменной откачки, при котором скорость роста за один цикл выходила на насыщение. Исследование химического состава методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии позволило установить, что увеличение времени пост-плазменной откачки приводит к уменьшению концентрации примесей, таких как азот и углерод, в пленке HfO2. Были измерены следующие электрофизические параметры выращенных пленок HfO2: емкость, диэлектрическая постоянная и плотность тока утечки. Исследования поперечных срезов диэлектрика методом ПЭМ показали наличие «зернистой» структуры в пленке HfO2, выращенной при температуре 80 °C.
Библиогр.: 26 назв.
Ограниченный доступ
Изучены свойства тонких пленок HfO2, выращенных методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения с удаленной плазмой кислорода при температурах в диапазоне 80–160 °C. Для каждой температуры определено оптимальное время пост-плазменной откачки, при котором скорость роста за один цикл выходила на насыщение. Исследование химического состава методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии позволило установить, что увеличение времени пост-плазменной откачки приводит к уменьшению концентрации примесей, таких как азот и углерод, в пленке HfO2. Были измерены следующие электрофизические параметры выращенных пленок HfO2: емкость, диэлектрическая постоянная и плотность тока утечки. Исследования поперечных срезов диэлектрика методом ПЭМ показали наличие «зернистой» структуры в пленке HfO2, выращенной при температуре 80 °C.
There are no comments on this title.