Модификация поверхности карбидовольфрамового композиционного материала методами электронно-ионно-плазменного воздействия А. Д. Тересов, Ю. А. Денисова, А. Б. Скосырский [и др.]
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Subject(s): вакуумное напыление | карбидовольфрамовые псевдосплавы | плазменное ассистирование | экспериментальные исследованияGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 65, № 11. С. 163-167Abstract: Проведена модификация поверхности пористого карбидовольфрамового псевдосплава системы WC−WCoNiFe импульсным электронным пучком и методом комбинированной электронно-ионно-плазменной обработки, сочетающим вакуумное электродуговое осаждение пленки из титанового сплава ВТ1-0 (1 мкм) и последующую импульсную электронно-пучковую обработку системы «покрытие/подложка». Выявлены оптимальные режимы импульсного электронно-пучкового воздействия в зависимости от плотности энергии в импульсе (40−65 Дж/см2) и длительности импульсов (150−200 мкс). Показано, что электронно-пучковая обработка поверхности материала данного класса при оптимальных режимах электронно-пучкового воздействия позволяет повысить микротвердость по- верхностного слоя на 15% относительно исходного материала. С использованием методов рентгенофазового анализа выявлено, что повышение микротвердости обусловлено образованием в поверхностном слое фазы W2C и уменьшением количества связки (WCoNiFe). Сделан вывод, что комбинированная электронно-ионно-плазменная обработка позволяет сформировать на поверхности пористого карбидовольфрамового псевдосплава системы WC−WCoNiFe модифицированный слой с минимальным количеством пор и трещин.
Библиогр.: 8 назв.
Ограниченный доступ
Проведена модификация поверхности пористого карбидовольфрамового псевдосплава системы WC−WCoNiFe импульсным электронным пучком и методом комбинированной электронно-ионно-плазменной обработки, сочетающим вакуумное электродуговое осаждение пленки из титанового сплава ВТ1-0 (1 мкм) и последующую импульсную электронно-пучковую обработку системы «покрытие/подложка». Выявлены оптимальные режимы импульсного электронно-пучкового воздействия в зависимости от плотности энергии в импульсе (40−65 Дж/см2) и длительности импульсов (150−200 мкс). Показано, что электронно-пучковая обработка поверхности материала данного класса при оптимальных режимах электронно-пучкового воздействия позволяет повысить микротвердость по- верхностного слоя на 15% относительно исходного материала. С использованием методов рентгенофазового анализа выявлено, что повышение микротвердости обусловлено образованием в поверхностном слое фазы W2C и уменьшением количества связки (WCoNiFe). Сделан вывод, что комбинированная электронно-ионно-плазменная обработка позволяет сформировать на поверхности пористого карбидовольфрамового псевдосплава системы WC−WCoNiFe модифицированный слой с минимальным количеством пор и трещин.
There are no comments on this title.