Численное моделирование динамики температурных полей в монокристаллическом кремнии при импульсно-периодической высокоинтенсивной ионной имплантации и энергетическом воздействии пучка на поверхность А. И. Иванова, Г. А. Блейхер, Д. О. Вахрушев, О. С. Корнева
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Subject(s): математическое моделирование | кремний | ионная имплантация | температурные градиентыGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 65, № 11. С. 65-69Abstract: Методы модификации поверхностных и приповерхностных слоев материалов и покрытий ионными пучками находят применение во многих областях науки и техники. Метод высокоинтенсивной имплантации пучками ионов высокой плотности мощности субмиллисекундной длительности предполагает значительный импульсный разогрев приповерхностного слоя облучаемой мишени с последующим быстрым его охлаждением за счет отвода тепла внутрь материала благодаря теплопроводности и реализацию импульсно-периодической радиационно-усиленной диффузии атомов на глубины, превышающие проективный пробег ионов. Численным моделированием исследуется динамика изменения температурных полей в пластине кремния при одноимпульсном и импульсно-периодическом воздействиях пучков ионов субмиллисекундной длительности с импульсной плотностью мощности до 109 Вт/м2. Определены условия, при которых в ионно-легируемом слое значение температуры будет соответствовать условиям радиационно-стимулированной диффузии имплантируемого элемента, а температура в матричном материале не приведет к ухудшению его микроструктуры и свойств.
Библиогр.: 7 назв.
Ограниченный доступ
Методы модификации поверхностных и приповерхностных слоев материалов и покрытий ионными пучками находят применение во многих областях науки и техники. Метод высокоинтенсивной имплантации пучками ионов высокой плотности мощности субмиллисекундной длительности предполагает значительный импульсный разогрев приповерхностного слоя облучаемой мишени с последующим быстрым его охлаждением за счет отвода тепла внутрь материала благодаря теплопроводности и реализацию импульсно-периодической радиационно-усиленной диффузии атомов на глубины, превышающие проективный пробег ионов. Численным моделированием исследуется динамика изменения температурных полей в пластине кремния при одноимпульсном и импульсно-периодическом воздействиях пучков ионов субмиллисекундной длительности с импульсной плотностью мощности до 109 Вт/м2. Определены условия, при которых в ионно-легируемом слое значение температуры будет соответствовать условиям радиационно-стимулированной диффузии имплантируемого элемента, а температура в матричном материале не приведет к ухудшению его микроструктуры и свойств.
There are no comments on this title.