Первопринципное исследование кристаллов AlSi2P и GaGe2As Ю. М. Басалаев, О. Г. Басалаева
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Subject(s): халькопириты | оптические фононные моды | модули упругости | теоретические исследованияGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 65, № 10. С. 120-126Abstract: Методами теории функционала плотности получены равновесные параметры кристаллической решетки. Изучены электронное строение и колебательные свойства гипотетических кристаллов AlSi2P и GaGe2As аналогов супер- твердого кристалла BC2N. Рассчитаны энергетическая зонная структура, длинноволновые частоты колебаний в точке Г, модули упругости, коэффициенты Пуассона и микротвердости. Установлена роль элементов IV группы и определены вклады колебаний отдельных атомов в колебательные моды кристалла.
Библиогр.: 39 назв.
Ограниченный доступ
Методами теории функционала плотности получены равновесные параметры кристаллической решетки. Изучены электронное строение и колебательные свойства гипотетических кристаллов AlSi2P и GaGe2As аналогов супер- твердого кристалла BC2N. Рассчитаны энергетическая зонная структура, длинноволновые частоты колебаний в точке Г, модули упругости, коэффициенты Пуассона и микротвердости. Установлена роль элементов IV группы и определены вклады колебаний отдельных атомов в колебательные моды кристалла.
There are no comments on this title.