Моделирование особенностей эпитаксиального формирования 2D- и 3D-островков с учетом изменения физических параметров двумерных пленок с толщиной К. А. Лозовой, В. В. Дирко, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Subject(s): эпитаксиальное выращивание | двумерные пленки | экспериментальные исследования | численное моделированиеGenre/Form: статьи в сборниках Online resources: Click here to access online
In:
Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладов С. 64Abstract: В данной работе рассматривается эпитаксиальное выращивание напряженных двумерных слоев германия и твердого раствора германия-кремния различного состава, а также особенности формирования квантовых точек в этих системах. Проводится теоретическое рассмотрение влияния зависимости поверхностных энергий и упругих напряжений от толщины осажденного материала на формирование двумерных слоев и квантовых точек по механизму Странского–Крастанова. Помимо этого, произведено моделирование миграции адатомов и формирования островков методом молекулярной динамики.
Библиогр.: 8 назв.
В данной работе рассматривается эпитаксиальное выращивание напряженных двумерных слоев германия и твердого раствора германия-кремния различного состава, а также особенности формирования квантовых точек в этих системах. Проводится теоретическое рассмотрение влияния зависимости поверхностных энергий и упругих напряжений от толщины осажденного материала на формирование двумерных слоев и квантовых точек по механизму Странского–Крастанова. Помимо этого, произведено моделирование миграции адатомов и формирования островков методом молекулярной динамики.
There are no comments on this title.