Адмиттанс МДП-приборов на основе теллурида кадмия ртути с одиночными квантовыми ямами теллурида ртути в активной области А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Other title: Admittance of mis devices based on mercury cadmium telluride with single quantum wells of mercury telluride in the active region [Parallel title]Subject(s): адмиттанс | МДП-приборы | одиночные квантовые ямыGenre/Form: статьи в сборниках Online resources: Click here to access online
In:
X Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов С. 233-234Abstract: В широком диапазоне частот и температур исследован адмиттанс МДП- приборов на основе HgCdTe с квантовыми ямами HgTe в активной области. Показано, что перезарядка уровней размерного квантования в одиночной квантовой яме. Это приводит к появлению осцилляций ёмкости и проводимости МДП-структуры в режиме сильной инверсии. Установлено, значительное влияние одиночной квантовой яме на электрофизические характеристики МДП-приборов.
Библиогр.: 5 назв.
В широком диапазоне частот и температур исследован адмиттанс МДП- приборов на основе HgCdTe с квантовыми ямами HgTe в активной области. Показано, что перезарядка уровней размерного квантования в одиночной квантовой яме. Это приводит к появлению осцилляций ёмкости и проводимости МДП-структуры в режиме сильной инверсии. Установлено, значительное влияние одиночной квантовой яме на электрофизические характеристики МДП-приборов.
There are no comments on this title.