Scientific Library of Tomsk State University

   Digital catalogue        

Refine your search

Your search returned 59 results.

1.
Зарядовая нейтральность в полупроводниках: дефекты, границы раздела, поверхность В. Н. Брудный

by Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
2.
Kinetics of two-dimensional island nucleation on reconstructed surfaces S. N. Filimonov, Y. Y. Hervieu

by Filimonov, Sergey N | Hervieu, Yurij Yurevich | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Physical Review BMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
3.
О накоплении примеси в адсорбционном слое в процессе легирования при молекулярно–лучевой эпитаксии Ю. Ю. Эрвье

by Эрвье, Юрий Юрьевич | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техникиMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
4.
Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN В. Н. Брудный

by Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
5.
Влияние жесткой радиации на электронные, оптические и рекомбинационные свойства соединений (Al, Ga, In)-P, (Al, Ga)-As и их твердых растворов В. Н. Брудный

by Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
6.
Основные этапы развития научного направления по эпитаксии полупроводников в СФТИ Л. Г. Лаврентьева, И. В. Ивонин

by Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
7.
Diffusion-induced growth of nanowires: Generalized boundary conditions and self-consistent kinetic equation V. G. Dubrovskii, Y. Y. Hervieu

by Dubrovskii, V. G | Hervieu, Yurij Yurevich | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Journal of crystal growthMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
8.
Electronic structure and the local electroneutrality level of SiC polytypes from quasiparticle calculations within the GW approximation V. N. Brudnyi, A. V. Kosobutsky

by Brudnyi, Valentin N | Kosobutsky, Alexey V | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Journal of experimental and theoretical physicsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
9.
Kinetics of second layer nucleation with permeable steps Y. Y. Hervieu, I. Markov

by Hervieu, Yurij Yurevich | Markov, Ivan | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Surface scienceMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
10.
Нелинейная зависимость высоты барьера от смещения и природа аномалий характеристик контактов с барьером Шоттки Электронный ресурс автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Шмаргунов Антон Владимирович

by Шмаргунов, Антон Владимирович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 2015Online access: Click here to access online Availability: No items available :
11.
Нелинейная зависимость высоты барьера от смещения и природа аномалий характеристик контактов с барьером Шоттки автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Шмаргунов Антон Владимирович

by Шмаргунов, Антон Владимирович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 2015Availability: Items available for loan: (2).
12.
Уровень зарядовой нейтральности и электронные свойства межфазных границ в слоистом полупроводнике ε-GaSe В. Н. Брудный, С. Ю. Саркисов, А. В. Кособуцкий

by Брудный, Валентин Натанович | Саркисов, Сергей Юрьевич | Кособуцкий, Алексей Владимирович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
13.
Элементарные процессы на ступенях в кинетике эпитаксиального роста и легирования при сильных отклонениях от равновесия автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук : 01.04.07 Эрвье Юрий Юрьевич

by Эрвье, Юрий Юрьевич | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 2012Online access: Click here to access online Availability: Items available for loan: (2).
14.
Электрофизические свойства диарсенида кадмия-кремния, облученного ионами Н В. Н. Брудный, Т. В. Ведерникова

by Брудный, Валентин Натанович | Ведерникова, Татьяна Владимировна | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Физический факультет Публикации студентов и аспирантов ФФ.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
15.
Газофазовая эпитаксия арсенида галлия Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин

by Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Вилисова, Мария Дмитриевна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
16.
Электронная структура и уровень локальной электронейтральности политипов SiC из квазичастичных расчетов в рамках GW-приближения В. Н. Брудный, А. В. Кособуцкий

by Брудный, Валентин Натанович | Кособуцкий, Алексей Владимирович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Журнал экспериментальной и теоретической физикиMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
17.
Краевая задача поверхностной диффузии адатомов в кинетике роста 3D-островков и нитевидных нанокристаллов С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье

by Филимонов, Сергей Николаевич | Эрвье, Юрий Юрьевич | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
18.
Корреляция положения глубоких уровней собственных точечных дефектов с "предельным" положением уровня Ферми в облученных полупроводниках группы III-V В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, Н. Г. Колин

by Брудный, Валентин Натанович | Гриняев, Сергей Николаевич | Колин, Николай Георгиевич | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
19.
Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок GaN1 В. Н. Брудный, С. С. Веревкин, Н. Г. Колин, А. В. Корулин

by Веревкин, Сергей Сергеевич | Колин, Николай Георгиевич | Корулин, Алексей Викторович | Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
20.
Исследование электронных процессов в наноструктурах Г. Ф. Караваев, С. Н. Гриняев, В. Н. Чернышов

by Караваев, Геннадий Федорович | Гриняев, Сергей Николаевич | Чернышов, Виктор Николаевич | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
21.
Влияние температуры роста на статистические параметры морфологии поверхности GaN В. А. Новиков, В. В. Преображенский, И. В. Ивонин

by Новиков, Вадим Александрович | Преображенский, Валерий Владимирович | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
22.
Структурные дефекты в тройном полупроводниковом соединении ZnGeP2 К. С. Титов, В. Н. Брудный

by Титов, Константин Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Физический факультет Публикации студентов и аспирантов ФФ.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
23.
Компьютерное моделирование послойного роста грани 3D-островка Д. А. Безродный, С. Н. Филимонов

by Безродный, Дмитрий Алексеевич | Филимонов, Сергей Николаевич | Томский государственный университет Физический факультет Публикации студентов и аспирантов ФФ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
24.
Исследование тройных полупроводников A2 B4 C5/2 В. Г. Воеводин, В. А. Чалдышев

by Воеводин, Валерий Георгиевич | Чалдышев, Виктор Александрович, 1929-2008 | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
25.
Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10

by Никитина, Лариса Николаевна | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский политехнический университет Кафедра теоретической и экспериментальной физики.

Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 2011Online access: Click here to access online Availability: Items available for loan: (2).
26.
Temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN led structures at high current density I. A. Prudaev, V. V. Kopyev, I. S. Romanov, V. N. Brudnyi

by Prudaev, Ilya A | Romanov, I. S | Brudnyi, Valentin N | Kopyev, Viktor V | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
27.
Ограничение тока в светодиодах на основе нитридов A3B5 при прямом смещении И. А. Прудаев, И. В. Ивонин, О. П. Толбанов

by Прудаев, Илья Анатольевич | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Толбанов, Олег Петрович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
28.
Карбид кремния на кремнии (110): структура поверхности и механизмы эпитаксиального роста S. Sambonsuge, Л. Н. Никитина, Ю. Ю. Эрвье и др.

by Никитина, Лариса Николаевна | Эрвье, Юрий Юрьевич | Suemitsu, Maki | Филимонов, Сергей Николаевич | Sambonsuge, Shota | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
29.
Влияние облучения высокоэнергетическими электронами на электрофизические и оптические свойства легированных и нелегированных кристаллов GaSe С. Ю. Саркисов, А. В. Кособуцкий, В. Н. Брудный, Е. В. Вавилин

by Саркисов, Сергей Юрьевич | Брудный, Валентин Натанович | Вавилин, Евгений Валерьевич | Кособуцкий, Алексей Владимирович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Фундаментальные проблемы современного материаловеденияMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
30.
Molecular switches from benzene derivatives adsorbed on metal surfaces W. Liu, S. N. Filimonov, J. Carrasco, A. Tkatchenko

by Liu, Wei | Filimonov, Sergey N | Carrasco, Javier | Tkatchenko, Alexandre | Liu, Wei | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Nature communicationsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
31.
Structural, elastic and electronic properties of GaSe under biaxial and uniaxial compressive stress A. V. Kosobutsky, S. Y. Sarkisov, V. N. Brudnyi

by Kosobutsky, Alexey V | Sarkisov, Sergey Yu | Brudnyi, Valentin N | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Journal of physics and chemistry of solidsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
32.
Определение транспортных характеристик детекторов ионизирующих излучений на основе GaAs:Cr Д. Ю. Мокеев, В. А. Новиков, О. П. Толбанов

by Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
33.
Генерация терагерцового излучения от поверхностей узко-и широкозонных полупроводников, модифицированных путем радиационного облучения С. Ю. Саркисов, А. В. Кособуцкий, В. Н. Брудный, Н. Я. Каргин

by Кособуцкий, Алексей Владимирович | Брудный, Валентин Натанович | Каргин, Николай Яковлевич | Саркисов, Сергей Юрьевич | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
34.
Direct measurement of surface stress during Bi-mediated Ge growth on Si H. Asaoka, T. Yamazaki, K Yamaguchi [et.al.]

by Yamazaki, Tatsuya | Yamaguchi, Kenji | Shamoto, Shin-ichi | Filimonov, Sergey N | Suemitsu, Maki | Asaoka, Hidehito | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Surface scienceMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
35.
Междолинное рассеяние электронов на локализованных и интерфейсных фононах в сверхрешетках (GaAs)M(AlAs)N(001) С. Н. Гриняев, Л. Н. Никитина, О. Л. Новикова, В. Г. Тютерев

by Никитина, Лариса Николаевна | Новикова, О. Л | Тютерев, Валерий Григорьевич | Гриняев, Сергей Николаевич | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ.

Source: Вестник Томского государственного педагогического университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
36.
Research of the surface properties of the thermoplastic copolymer of vinilidene fluoride and tetrafluoroethylene modified with radio-frequency magnetron sputtering for medical application S. I. Tverdokhlebova, E. N. Bolbasova, E. V. Shesterikov [et.al.]

by Bolbasov, Evgeny N | Shesterikov, Evgeny V | Malchikhina, Alyona I | Novikov, Vladimir A | Anissimov, Yuri G | Tverdokhlebov, Sergey I | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Applied surface scienceMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
37.
Фотовольтаический эффект в контакте металл – высокоомный GaAs:Cr Д. Л. Будницкий, В. А. Новиков, И. А. Прудаев и др.

by Новиков, Владимир Александрович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Яскевич, Тамара Михайловна | Будницкий, Давыд Львович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
38.
Широкополосное поглощение нанокластеров алмаза С. Н. Гриняев, А. В. Нявро, А. П. Копцев, В. Н. Черепанов

by Нявро, Александр Владиславович | Копцев, Артем Павлович | Черепанов, Виктор Николаевич | Гриняев, Сергей Николаевич | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики плазмы | Томский государственный университет Физический факультет Публикации студентов и аспирантов ФФ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра оптики и спектроскопии.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
39.
Selective Adsorption of C60 on Ge/Si Nanostructures S. Korte, K. Romanyuk, B. Schnitzler [et.al.]

by Romanyuk, Konstantin | Schnitzler, Bastian | Cherepanov, Vasily | Voigtlander, Bert | Filimonov, Sergey N | Korte, Stefan | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Physical Review LettersMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
40.
Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК-фотоприемников А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, С. А. Тийс и др.

by Тимофеев, Вячеслав Алексеевич | Тийс, Сергей Александрович | Гутаковский, Антон Константинович | Пчеляков, Олег Петрович | Якимов, Андрей Иннокентьевич | Никифоров, Александр Иванович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
41.
The impact of the plasma volume discharge in the atmospheric-pressure air on the distribution of the surface potential in a V-defect region of epitaxial HgCdTe films D. V. Grigoryev, V. A. Novikov, D. A. Bezrodnyy [et.al.]

by Grigoryev, Denis V | Bezrodnyy, Dmitriy A | Tarasenko, Viktor Fedotovich | Shulepov, Mikhail A | Novikov, Vadim A | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: 12th International Conference "Gas Discharge Plasmas and Their Applications" GDP 2015, September 6-11, 2015, Tomsk, Russia : AbstractsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
42.
Исследования особенностей процессов получения микронных, субмикронных и наноразмерных порошков пневматическим циркуляционным методом Ю. А. Бирюков, В. А. Полюшко, А. Ю. Объедков и др.

by Бирюков, Юрий Александрович | Объедков, Александр Ювинальевич | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Глазунов, Анатолий Алексеевич, 1948- | Ищенко, Александр Николаевич | Пономарев, Сергей Васильевич доктор физ.-мат. наук | Полюшко, Владимир Анатольевич | Томский государственный университет НИИ прикладной математики и механики Научные подразделения НИИ ПММ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
43.
Экспериментальные исследования процессов измельчения порошков вольфрама Ю. А. Бирюков, В. А. Полюшко, А. Ю. Объедков и др.

by Бирюков, Юрий Александрович | Объедков, Александр Ювинальевич | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Глазунов, Анатолий Алексеевич, 1948- | Ищенко, Александр Николаевич | Пономарев, Сергей Васильевич доктор физ.-мат. наук | Полюшко, Владимир Анатольевич | Томский государственный университет НИИ прикладной математики и механики Научные подразделения НИИ ПММ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
44.
Сравнительный анализ характеристик детекторов ионизирующих излучений на основе CdZnTe и GaAs:Cr Д. Ю. Мокеев, В. А. Новиков, О. М. Пристай, О. П. Толбанов

by Новиков, Владимир Александрович | Пристай, Ольга Михайловна | Толбанов, Олег Петрович | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
45.
Влияние добавок Pt, Pd, Au на поверхности и в объеме тонких пленок диоксида олова на электрические и газочувствительные свойства Е. Ю. Севастьянов, Н. К. Максимова, В. А. Новиков и др.

by Максимова, Надежда Кузьминична | Новиков, Владимир Александрович | Рудов, Федор Валентинович | Сергейченко, Надежда Владимировна | Черников, Евгений Викторович | Севастьянов, Евгений Юрьевич | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
46.
Спектры электролюминесценции "красных" светодиодов AlGaInP/GaAs А. А. Мармалюк, П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан и др.

by Горлачук, Павел Владимирович | Рябоштан, Юрий Леонидович | Брудный, Валентин Натанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Романов, Иван Сергеевич | Лелеков, Михаил Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич, 1970- | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
47.
Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices K. A. Lozovoy, A. V. Voytsekhovskiy, A. P. Kokhanenko [et.al.]

by Voytsekhovskiy, Alexander V | Kokhanenko, Andrey P | Satdarov, Vadim G | Pchelyakov, Oleg P | Nikiforov, Alexander I | Lozovoy, Kirill A | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

Source: Opto-electronics reviewMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
48.
Investigation of the radiation hardness of GaAs sensors in an electron beam K. Afanaciev, M. Bergholz, D. Mokeev [et.al.]

by Bergholz, M | Mokeev, D | Novikov, Vladimir A | Bernitt, P | Tolbanov, Oleg P | Tyazhev, Anton V | Afanaciev, K | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

Source: Journal of instrumentation : electronic journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
49.
Становление и развитие научного и образовательного направлений по физике полупроводников в Томском государственном университете В. Н. Брудный, А. В. Войцеховский, И. В. Ивонин, О. П. Толбанов

by Брудный, Валентин Натанович | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Толбанов, Олег Петрович | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: Электронная промышленностьMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
50.
Effect of Pt, Pd, Au additives on the surface and in the bulk of tin dioxide thin films on the electrical and gas-sensitive properties E. Y. Sevastyanov, N. K. Maksimova, V. A. Novikov [et.al.]

by Maksimova, Nadezhda K | Novikov, Vladimir A | Rudov, F. V | Sergeychenko, N. V | Chernikov, Evgeniy V | Sevastyanov, E. Yu | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

Source: SemiconductorsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :