|
|
1.
|
|
|
|
2.
|
|
|
|
3.
|
Морфология поверхности и кристаллографические свойства пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на вицинальных подложках Si(001) Е. А. Емельянов, А. П. Коханенко, О. П. Пчеляков и др. by Коханенко, Андрей Павлович | Пчеляков, Олег Петрович | Лошкарев, Иван Дмитриевич | Селезнев, Владимир Александрович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Преображенский, Валерий Владимирович | Zhicuan, Niu | Haiqiao, Ni | Емельянов, Евгений Александрович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type:  Article; Format:
electronic
available online
 Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
4.
|
GaAs маска для нанолитографии В. Я. Принц, В. А. Селезнев, А. В. Принц by Принц, Виктор Яковлевич | Селезнев, Владимир Александрович | Принц, Александр Викторович. Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
5.
|
Формирование GaAs/InGaAs микро- и нанооболочек с помощью зондовой литографии А. В. Принц, Ю. А. Мелконян, В. А. Селезнев, В. Я. Принц by Принц, Александр Викторович | Мелконян, Ю. А | Селезнев, Владимир Александрович | Принц, Виктор Яковлевич. Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
