|
1.
|
Исследование фотоприемников ультрафиолетового диапазона на основе нитрида галлия А. Н. Зарубин,А. Д. Лозинская, Д. Ю. Мокеев и др. by Лозинская, Анастасия Дмитриевна | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Зарубин, Андрей Николаевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
2.
|
Детекторный модуль для сканирующих систем рентгеновского контроля Д. Л. Будницкий, Д. Ю. Мокеев, В. А. Новиков и др. by Будницкий, Давыд Львович | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Лелеков, Михаил Александрович | Пономарев, Иван Викторович. Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
3.
|
Фотовольтаические детекторы ионизирующих излучений на основе эпитаксиального GaAs, компенсированного хромом М. Д. Вилисова, В. П. Гермогенов, Е. П. Другова и др. by Вилисова, Мария Дмитриевна | Гермогенов, Валерий Петрович | Другова, Е. П | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Пономарев, Иван Викторович | Пороховниченко, Лидия Петровна | Толбанов, Олег Петрович | Чубирко, Валентина Анатольевна. Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
4.
|
Определение времени жизни неравновесных носителей заряда в полуизолирующем GaAs, компенсированном хромом А. Н. Зарубин, Д. Ю. Мокеев, Л. С. Окаевич и др. by Зарубин, Андрей Николаевич | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Окаевич, Людмила Стефановна | Тяжев, Антон Владимирович | Биматов, Михаил Владимирович | Лелеков, Михаил Александрович | Пономарев, Иван Викторович. Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
5.
|
|
|
6.
|
Фотоэлектрические характеристики детекторных структур на основе GaAs, компенсированного Cr Г. И. Айзенштат, Д. Ю. Мокеев, Л. С. Окаевич [и др.] by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Окаевич, Людмила Стефановна | Потоцкий, В. С | Толбанов, Олег Петрович. Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article; Format:
print
festschrift
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
7.
|
|
|
8.
|
|
|
9.
|
|
|
10.
|
|
|
11.
|
Блок детектирования на основе GaAs-детекторов для сканирующих рентгеновских систем неразрушающего контроля Д. Л. Будницкий, Д. Ю. Мокеев, В. А. Новиков и др. by Будницкий, Давыд Львович | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Лелеков, Михаил Александрович | Пономарев, Иван Викторович. Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
12.
|
|
|
13.
|
Определение максимальной рабочей толщины рентгеновского детектора на основе GaAs:Cr из анализа эффективности сбора заряда В. В. Ерофеев, Д. Ю. Мокеев, В. А. Новиков и др. by Ерофеев, В. В | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович. Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
14.
|
Исследование детекторов ионизирующих излучений, изготовленных на основе эпитаксиального арсенида галлия Г. И. Айзенштат, М. Д. Вилисова, Е. П. Другова [и др.] by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Вилисова, Мария Дмитриевна | Другова, Е. П | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Пороховниченко, Лидия Петровна | Чубирко, Валентина Анатольевна. Source: Современные проблемы физики, технологии и инновационного развития : сборник статей молодых ученыхMaterial type: Article; Format:
print
; Nature of contents: ; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|