Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 14 results.

    1.
    Исследование фотоприемников ультрафиолетового диапазона на основе нитрида галлия А. Н. Зарубин,А. Д. Лозинская, Д. Ю. Мокеев и др.

    by Лозинская, Анастасия Дмитриевна | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Зарубин, Андрей Николаевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    2.
    Детекторный модуль для сканирующих систем рентгеновского контроля Д. Л. Будницкий, Д. Ю. Мокеев, В. А. Новиков и др.

    by Будницкий, Давыд Львович | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Лелеков, Михаил Александрович | Пономарев, Иван Викторович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    3.
    Фотовольтаические детекторы ионизирующих излучений на основе эпитаксиального GaAs, компенсированного хромом М. Д. Вилисова, В. П. Гермогенов, Е. П. Другова и др.

    by Вилисова, Мария Дмитриевна | Гермогенов, Валерий Петрович | Другова, Е. П | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Пономарев, Иван Викторович | Пороховниченко, Лидия Петровна | Толбанов, Олег Петрович | Чубирко, Валентина Анатольевна.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    4.
    Определение времени жизни неравновесных носителей заряда в полуизолирующем GaAs, компенсированном хромом А. Н. Зарубин, Д. Ю. Мокеев, Л. С. Окаевич и др.

    by Зарубин, Андрей Николаевич | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Окаевич, Людмила Стефановна | Тяжев, Антон Владимирович | Биматов, Михаил Владимирович | Лелеков, Михаил Александрович | Пономарев, Иван Викторович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    5.
    Анализ возможности координатного преобразования потока ионизирующего излучения в излучение оптического диапазона с использованием GaAs-детекторов Г. И. Айзенштат, Д. Ю. Мокеев, О. П. Толбанов

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    6.
    Фотоэлектрические характеристики детекторных структур на основе GaAs, компенсированного Cr Г. И. Айзенштат, Д. Ю. Мокеев, Л. С. Окаевич [и др.]

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Окаевич, Людмила Стефановна | Потоцкий, В. С | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    7.
    Спектрометрические характеристики матричных детекторов рентгеновского излучения на основе GaAs:Cr А. Н. Зарубин, Д. Ю. Мокеев, В. А. Новиков и др.

    by Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Зарубин, Андрей Николаевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    8.
    Сравнительный анализ характеристик детекторов ионизирующих излучений на основе CdZnTe и GaAs:Cr Д. Ю. Мокеев, В. А. Новиков, О. М. Пристай, О. П. Толбанов

    by Новиков, Владимир Александрович | Пристай, Ольга Михайловна | Толбанов, Олег Петрович | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    9.
    Моделирование детектора ионизирующих излучений на основе гетероструктуры AlGaAs-GaAs Д. Ю. Мокеев, О. П. Толбанов, Г. И. Айзенштат, М. В. Ардышев

    by Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Толбанов, Олег Петрович | Айзенштат, Геннадий Исаакович | Ардышев, Михаил Вячеславович.

    Source: Современные проблемы физики и технологии : (сборник статей молодых ученых)Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    10.
    Определение транспортных характеристик детекторов ионизирующих излучений на основе GaAs:Cr Д. Ю. Мокеев, В. А. Новиков, О. П. Толбанов

    by Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    11.
    Блок детектирования на основе GaAs-детекторов для сканирующих рентгеновских систем неразрушающего контроля Д. Л. Будницкий, Д. Ю. Мокеев, В. А. Новиков и др.

    by Будницкий, Давыд Львович | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Лелеков, Михаил Александрович | Пономарев, Иван Викторович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    12.
    Детекторный элемент с оптическим выводом информации на GaAs Г. И. Айзенштат, А. П. Воробьев, С. М. Гущин [и др.]

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Воробьев, Александр Павлович | Гущин, Сергей Михайлович | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    13.
    Определение максимальной рабочей толщины рентгеновского детектора на основе GaAs:Cr из анализа эффективности сбора заряда В. В. Ерофеев, Д. Ю. Мокеев, В. А. Новиков и др.

    by Ерофеев, В. В | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    14.
    Исследование детекторов ионизирующих излучений, изготовленных на основе эпитаксиального арсенида галлия Г. И. Айзенштат, М. Д. Вилисова, Е. П. Другова [и др.]

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Вилисова, Мария Дмитриевна | Другова, Е. П | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Пороховниченко, Лидия Петровна | Чубирко, Валентина Анатольевна.

    Source: Современные проблемы физики, технологии и инновационного развития : сборник статей молодых ученыхMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :