Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 13 results.

    1.
    Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Пономарев Иван Викторович

    by Пономарев, Иван Викторович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск) Лаборатория физики полупроводников.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 2011Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    2.
    3.
    Детекторный модуль для сканирующих систем рентгеновского контроля Д. Л. Будницкий, Д. Ю. Мокеев, В. А. Новиков и др.

    by Будницкий, Давыд Львович | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Лелеков, Михаил Александрович | Пономарев, Иван Викторович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    4.
    Фотовольтаические детекторы ионизирующих излучений на основе эпитаксиального GaAs, компенсированного хромом М. Д. Вилисова, В. П. Гермогенов, Е. П. Другова и др.

    by Вилисова, Мария Дмитриевна | Гермогенов, Валерий Петрович | Другова, Е. П | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Пономарев, Иван Викторович | Пороховниченко, Лидия Петровна | Толбанов, Олег Петрович | Чубирко, Валентина Анатольевна.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    5.
    Определение времени жизни неравновесных носителей заряда в полуизолирующем GaAs, компенсированном хромом А. Н. Зарубин, Д. Ю. Мокеев, Л. С. Окаевич и др.

    by Зарубин, Андрей Николаевич | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Окаевич, Людмила Стефановна | Тяжев, Антон Владимирович | Биматов, Михаил Владимирович | Лелеков, Михаил Александрович | Пономарев, Иван Викторович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    6.
    Измерение удельного сопротивления высокоомных эпитаксиальных слоев арсенида галлия И. В. Пономарев, О. Г. Шмаков

    by Пономарев, Иван Викторович | Шмаков, Олег Геннадьевич.

    Source: Физика твердого тела : материалы VIII Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 2002 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    7.
    Исследование оптических и фотоэлектрических свойств детекторных структур на основе эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs М. А. Беспальков, И. В. Пономарев, О. Г. Шмаков

    by Беспальков, М. А | Пономарев, Иван Викторович | Шмаков, Олег Геннадьевич.

    Source: Физика твердого тела : материалы IX Российской научной студенческой конференции, 12-14 мая 2004 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    8.
    Исследование распределения потенциала в детекторных структурах на основе GaAs методом Кельвин-зонд-микроскопии О. Ж. Казтаев, В. А. Новиков, И. В. Пономарев

    by Казтаев, О. Ж | Новиков, Владимир Александрович | Пономарев, Иван Викторович.

    Source: Физика : материалы XLVII международной научной студенческой конференции "Студент и научно-технический прогресс", 11-15 апреля 2009 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    9.
    Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN И. А. Прудаев, И. В. Пономарев, И. С. Романов, В. В. Копьев

    by Пономарев, Иван Викторович | Романов, Иван Сергеевич | Копьев, Виктор Васильевич | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    10.
    Полупроводниковые структуры для детекторов ультрафиолетового излучения на основе слоев GaAs и AlGaAs М. А. Беспальков, И. В. Пономарев, О. Г. Шмаков

    by Беспальков, М. А | Пономарев, Иван Викторович | Шмаков, Олег Геннадьевич.

    Source: Труды 1-й конференции студенческого научно-исследовательского инкубатора, Томск, 15 февраля 2005 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    11.
    Блок детектирования на основе GaAs-детекторов для сканирующих рентгеновских систем неразрушающего контроля Д. Л. Будницкий, Д. Ю. Мокеев, В. А. Новиков и др.

    by Будницкий, Давыд Львович | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Лелеков, Михаил Александрович | Пономарев, Иван Викторович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    12.
    Детекторы гамма-квантов на основе эпитаксиальных слоев GaAs:S,Cr М. Д. Вилисова, В. П. Гермогенов, И. В. Пономарев, А. В. Тяжев

    by Гермогенов, Валерий Петрович | Пономарев, Иван Викторович | Тяжев, Антон Владимирович | Вилисова, Мария Дмитриевна | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    13.
    Параметры детекторов из эпитаксиального GaAs, компенсированного хромом И. В. Пономарев

    by Пономарев, Иван Викторович.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов X Российской научной студенческой конференции, 4-6 мая 2006 г., Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :