Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 22 results.

    1.
    Радиационные дефекты в бинарных (InP,GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10

    by Новиков, Владимир Александрович | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 2007Availability: No items available :
    2.
    Арсенидогаллиевые детекторы для маммографии Г. И. Айзенштат, М. А. Лелеков, В. А. Новиков и др.

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Лелеков, Михаил Александрович | Новиков, Владимир Александрович | Пороховниченко, Лидия Петровна | Прокопьев, Д. Г | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Шаповал, Леонид Григорьевич.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    3.
    Детекторный модуль для сканирующих систем рентгеновского контроля Д. Л. Будницкий, Д. Ю. Мокеев, В. А. Новиков и др.

    by Будницкий, Давыд Львович | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Лелеков, Михаил Александрович | Пономарев, Иван Викторович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    4.
    Фотовольтаический эффект в контакте металл – высокоомный GaAs:Cr Д. Л. Будницкий, В. А. Новиков, И. А. Прудаев и др.

    by Новиков, Владимир Александрович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Яскевич, Тамара Михайловна | Будницкий, Давыд Львович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    5.
    Спектральные детекторы рентгеновского излучения для неразрушающего контроля объектов из полимерных композитных материалов П. В. Космачев, А. Н. Зарубин, А. В. Тяжев, В. А. Новиков [и др.]

    by Космачев, Павел Владимирович | Зарубин, Андрей Николаевич | Новиков, Владимир Александрович | Шемерянкина, Анастасия Владимировна | Щербаков, Иван Дмитриевич | Винник, Александр Евгеньевич | Шаймерденова, Лейла Калитаевна | Скакунов, Максим Сергеевич | Хорохорин, Вадим Станиславович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Степанов, Дмитрий Юрьевич.

    Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференцииMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    6.
    Матричный GaAs-детектор 128x128 элементов для рентгенографии А. П. Воробьев, С. Н. Головня, С. А. Горохов и др.

    by Воробьев, А. П | Головня, С. Н | Горохов, С. А | Корецкая, Ольга Борисовна | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    7.
    Влияние условий роста на морфологию поверхности эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии Т. А. Шилова, В. А. Новиков, Б. Р. Семягин, Д. Н. Щеглов

    by Шилова, Т. А | Новиков, Владимир Александрович | Семягин, Борис Рэмович | Щеглов, Д. Н.

    Source: Физика твердого тела : материалы IX Российской научной студенческой конференции, 12-14 мая 2004 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    8.
    Исследование распределения потенциала в детекторных структурах на основе GaAs методом Кельвин-зонд-микроскопии О. Ж. Казтаев, В. А. Новиков, И. В. Пономарев

    by Казтаев, О. Ж | Новиков, Владимир Александрович | Пономарев, Иван Викторович.

    Source: Физика : материалы XLVII международной научной студенческой конференции "Студент и научно-технический прогресс", 11-15 апреля 2009 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    9.
    Влияние добавок Pt, Pd, Au на поверхности и в объеме тонких пленок диоксида олова на электрические и газочувствительные свойства Е. Ю. Севастьянов, Н. К. Максимова, В. А. Новиков и др.

    by Максимова, Надежда Кузьминична | Новиков, Владимир Александрович | Рудов, Федор Валентинович | Сергейченко, Надежда Владимировна | Черников, Евгений Викторович | Севастьянов, Евгений Юрьевич | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    10.
    Распад пересыщенного твердого раствора железа в GaAs И. А. Прудаев, С. С. Хлудков, А. К. Гутаковский и др.

    by Хлудков, Станислав Степанович | Гутаковский, Антон Константинович | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Неорганические материалыMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    11.
    Сравнительный анализ характеристик детекторов ионизирующих излучений на основе CdZnTe и GaAs:Cr Д. Ю. Мокеев, В. А. Новиков, О. М. Пристай, О. П. Толбанов

    by Новиков, Владимир Александрович | Пристай, Ольга Михайловна | Толбанов, Олег Петрович | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    12.
    Спектрометрические характеристики матричных детекторов рентгеновского излучения на основе GaAs:Cr А. Н. Зарубин, Д. Ю. Мокеев, В. А. Новиков и др.

    by Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Зарубин, Андрей Николаевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    13.
    Оценка концентрации хрома в высокоомном GaAs:Cr, создаваемом диффузией Д. Л. Будницкий, В. А. Новиков, О. П. Толбанов, Т. М. Яскевич

    by Будницкий, Давыд Львович | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Яскевич, Тамара Михайловна.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    14.
    Анодные пленки Ga2O3. Влияние термического отжига на свойства пленок В. М. Калыгина, А. Н. Зарубин, Е. П. Найден и др.

    by Зарубин, Андрей Николаевич | Найден, Евгений Петрович, 1940-2015 | Новиков, Владимир Александрович | Петрова, Юлианна Сергеевна | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Яскевич, Тамара Михайловна | Калыгина, Вера Михайловна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    15.
    Определение транспортных характеристик детекторов ионизирующих излучений на основе GaAs:Cr Д. Ю. Мокеев, В. А. Новиков, О. П. Толбанов

    by Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    16.
    Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом А. Н. Зарубин, А. Д. Лозинская, В. А. Новиков и др.

    by Зарубин, Андрей Николаевич | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Щербаков, Иван Дмитриевич | Лозинская, Анастасия Дмитриевна.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Temperature dependences of current-voltage characteristics of radiation imaging sensors based on GaAs:Cr.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    17.
    Исследование крупномасштабных неоднородностей в n-GaAs и их влияние на однородность и характеристики HR GaAs:Cr сенсоров ионизирующего излучения Л. К. Шаймерденова, В. А. Новиков, А. В. Тяжев [и др.]

    by Шаймерденова, Лейла Калитаевна | Новиков, Владимир Александрович | Тяжев, Антон Владимирович | Толбанов, Олег Петрович | Шемерянкина, Анастасия Владимировна.

    Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференцииMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    18.
    Токоперенос в детекторах на основе арсенида галлия, компенсированного хромом Г. И. Айзенштат, М. А. Лелеков, В. А. Новиков и др.

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Лелеков, Михаил Александрович | Новиков, Владимир Александрович | Окаевич, Людмила Стефановна | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    19.
    Блок детектирования на основе GaAs-детекторов для сканирующих рентгеновских систем неразрушающего контроля Д. Л. Будницкий, Д. Ю. Мокеев, В. А. Новиков и др.

    by Будницкий, Давыд Львович | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Лелеков, Михаил Александрович | Пономарев, Иван Викторович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    20.
    Пленки оксида галлия, полученные методом термического напыления В. М. Калыгина, А. Н. Зарубин, В. А. Новиков и др.

    by Зарубин, Андрей Николаевич | Новиков, Владимир Александрович | Петрова, Юлианна Сергеевна | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Цупий, Светлана Юрьевна | Яскевич, Тамара Михайловна | Калыгина, Вера Михайловна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    21.
    Влияние отжига в аргоне на свойства пленок оксида галлия, полученных термическим напылением В. М. Калыгина, В. В. Вишникина, А. Н. Зарубин и др.

    by Вишникина, Вера Валерьевна | Зарубин, Андрей Николаевич | Новиков, Владимир Александрович | Петрова, Юлианна Сергеевна | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Цупий, Светлана Юрьевна | Яскевич, Тамара Михайловна | Калыгина, Вера Михайловна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    22.
    Определение максимальной рабочей толщины рентгеновского детектора на основе GaAs:Cr из анализа эффективности сбора заряда В. В. Ерофеев, Д. Ю. Мокеев, В. А. Новиков и др.

    by Ерофеев, В. В | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :