Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 8 results.

    1.
    Монокристаллы арсенида галлия, выращенные методом VGF: особенности структуры и свойств А. В. Марков

    by Марков, Александр Владимирович физик.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    2.
    Особенности структуры монокристаллов GaAs, легированных кремнием, выращенных методом Чохральского из-под слоя флюса B2O3 В. Т. Бублик, К. Д. Щербачев, Е. В. Жевнеров, А. В. Марков

    by Бублик, Владимир Тимофеевич | Щербачев, Кирилл Дмитриевич | Жевнеров, Евгений Владимирович | Марков, Александр Владимирович физик.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    3.
    Многоканальные микросхемы первичного преобразования сигнала с рентгеновских чувствительных элементов и приемный модуль на их основе Д. В. Бородин, Ю. В. Осипов, Н. А. Шушкевич [и др.]

    by Бородин, Д. В | Осипов, Ю. В | Шушкевич, Н. А | Лопухин, Алексей Алексеевич | Куликов, В. Б | Аветисян, Г. Х | Марков, Александр Владимирович физик.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    4.
    Микродефекты в монокристаллах GaAs(Si), полученных методом вертикальной направленной кристаллизации (ВНК) П. А. Филатов, В. Т. Бублик, А. В. Марков и др.

    by Филатов, Павел Александрович | Бублик, Владимир Тимофеевич | Марков, Александр Владимирович физик.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    5.
    Объемные монокристаллы полупроводниковых соединений AᶦᶦᶦBᵛ: современное производство и перспективы развития А. В. Марков

    by Марков, Александр Владимирович физик.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    6.
    Выращивание монокристаллов арсенида галлия методом вертикальной направленной кристаллизации А. В. Марков, Б. Н. Шаронов, А. Я. Поляков [и др.]

    by Марков, Александр Владимирович физик | Шаронов, Б. Н | Поляков, Александр Яковлевич | Смирнов, Николай Борисович | Говорков, Анатолий Васильевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    7.
    Необратимый характер реакции осаждения GaN в хлорид-гидридном процессе Л. И. Дьяконов, Ю. П. Козлова, А. В. Марков и др.

    by Дьяконов, Лев Иванович | Козлова, Юлия Павловна | Марков, Александр Владимирович физик.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    8.
    Получение монокристаллов высокочистого полуизолирующего арсенида галлия методом Чохральского с жидкостной герметизацией расплава А. В. Марков

    by Марков, Александр Владимирович физик.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :