Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Your search returned 2 results.

1.
Влияние зарядового состояния радиационных дефектов на процессы их генерации и отжига в соединениях GaAs и InP В. В. Пешев, А. П. Суржиков

by Пешев, Владимир Викторович | Суржиков, Анатолий Петрович.

Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
2.
Образование радиационных дефектов в арсениде галлия В. В. Пешев

by Пешев, Владимир Викторович.

Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :