|
1.
|
Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе CdxHg1–xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии А. В. Войцеховский, Д. И. Горн, И. И. Ижнин и др. by Горн, Дмитрий Игоревич | Ижнин, Игорь Иванович | Ижнин, Александр Иванович | Гольдин, Виктор Данилович | Михайлов, Николай Николаевич физик | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Сидоров, Юрий Георгиевич | Якушев, Максим Витальевич | Варавин, Василий Семенович | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет НИИ прикладной математики и механики Научные подразделения НИИ ПММ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
2.
|
Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией К. Д. Мынбаев, А. В. Шиляев, Н. Л. Баженов и др. by Мынбаев, Карим Джафарович | Баженов, Николай Леонидович | Ижнин, Александр Иванович | Ижнин, Игорь Иванович | Михайлов, Николай Николаевич физик | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Шиляев, Артур Владимирович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники. Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
3.
|
|