Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 5 results.

    1.
    Влияние структурных дефектов на распределение нестехиометрического мышьяка в НТ МЛЭ InGaAs И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, С. В. Субач [и др.]

    by Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Субач, Сергей Владимирович | Гутаковский, Антон Константинович | Преображенский, Валерий Владимирович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    2.
    Исследование свойств пленок HfO2, выращенных методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения при разных температурах роста Д. В. Горшков, Е. Р. Закиров, Г. Ю. Сидоров [и др.]

    by Горшков, Дмитрий Витальевич | Закиров, Евгений Рашитович | Сидоров, Георгий Юрьевич | Сабинина, Ирина Викторовна | Гутаковский, Антон Константинович | Вдовин, Владимир Ильич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Studying the properties of HfO2 films grown by plasma-enhanced atomic layer deposition at different growth temperatures.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    3.
    Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК-фотоприемников А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, С. А. Тийс и др.

    by Тимофеев, Вячеслав Алексеевич | Тийс, Сергей Александрович | Гутаковский, Антон Константинович | Пчеляков, Олег Петрович | Якимов, Андрей Иннокентьевич | Никифоров, Александр Иванович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    4.
    Распад пересыщенного твердого раствора железа в GaAs И. А. Прудаев, С. С. Хлудков, А. К. Гутаковский и др.

    by Хлудков, Станислав Степанович | Гутаковский, Антон Константинович | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Прудаев, Илья Анатольевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Неорганические материалыMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    5.
    Влияние механизма роста твердого раствора InGaAs при низкой температуре на процесс формирования нанокластеров в нем М. Д. Вилисова, А. К. Гутаковский, Л. Л. Девятьярова [и др.]

    by Вилисова, Мария Дмитриевна | Гутаковский, Антон Константинович | Анисимова, Любовь Леонидовна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Субач, Сергей Владимирович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :