|
1.
|
Определение времени жизни неравновесных носителей заряда в полуизолирующем GaAs, компенсированном хромом А. Н. Зарубин, Д. Ю. Мокеев, Л. С. Окаевич и др. by Зарубин, Андрей Николаевич | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Окаевич, Людмила Стефановна | Тяжев, Антон Владимирович | Биматов, Михаил Владимирович | Лелеков, Михаил Александрович | Пономарев, Иван Викторович. Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
2.
|
Исследование электронных процессов в GaAs детекторах Г. И. Айзенштат, М. Биматов, О. П. Толбанов by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Айзенштат, Геннадий Исаакович | Биматов, Михаил Владимирович | Толбанов, Олег Петрович. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
3.
|
|
|
4.
|
Спектрометрический детектор из GaAs:Cr М. В. Биматов, А. В. Тяжев by Биматов, Михаил Владимирович | Тяжев, Антон Владимирович. Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
5.
|
|