Normal view
MARC view
Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods A. G. Korotaev, A. A. Pishchagin, A. P. Kokhanenko, A. I. Nikiforov
Material type: ArticleSubject(s): германий-кремний | молекулярно-лучевая эпитаксия | квантовые точки | адмиттанс | фотоэлектрические свойстваGenre/Form: статьи в сборниках Online resources: Click here to access online In: СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : 25-я Международная Крымская конференция (КрыМиКо'2015), 6-12 сентября 2015 г., Севастополь, Крым, Россия : материалы конференции : в 2 т. Т. 2 Т. 2. С. 707-708No physical items for this record
Библиогр.: 2 назв.
There are no comments on this title.