Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 6 results.

    1.
    Закрепление уровня Ферми в полупроводниках В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, Н. Г. Колин

    by Брудный, Валентин Натанович | Гриняев, Сергей Николаевич | Колин, Николай Георгиевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    2.
    Корреляция положения глубоких уровней собственных точечных дефектов с "предельным" положением уровня Ферми в облученных полупроводниках группы III-V В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев, Н. Г. Колин

    by Брудный, Валентин Натанович | Гриняев, Сергей Николаевич | Колин, Николай Георгиевич | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    3.
    Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок GaN1 В. Н. Брудный, С. С. Веревкин, Н. Г. Колин, А. В. Корулин

    by Веревкин, Сергей Сергеевич | Колин, Николай Георгиевич | Корулин, Алексей Викторович | Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    4.
    Электрофизические свойства диарсенида кадмия-кремния, облученного ионами Н В. Н. Брудный, Т. В. Ведерникова

    by Брудный, Валентин Натанович | Ведерникова, Татьяна Владимировна | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Физический факультет Публикации студентов и аспирантов ФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    5.
    Электронные свойства p-GaN(Mg), облученного реакторными нейтронами В. М. Бойко, В. Н. Брудный, С. С. Веревкин и др.

    by Бойко, В. М | Веревкин, Сергей Сергеевич | Ермаков, В. С | Колин, Николай Георгиевич | Корулин, Алексей Викторович | Поляков, Александр Яковлевич | Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    6.
    Радиационные эффекты в полупроводниках В. Н. Брудный

    by Брудный, Валентин Натанович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :