Normal view
MARC view
Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11 Щербаков Иван Дмитриевич ; науч. рук. Толбанов О. П. ; Нац. исслед. Томский гос. ун-т
Material type:
TextPublication details: Томск [б. и.] 2023Description: 150 л. ил., таблContent type: Текст Media type: разные средства доступа Subject(s): физика полупроводников | диссертации | полупроводниковые сенсоры | HR-GaAs:Cr, арсенид галлия высокоомный компенсированный хромом | уровень жизни электронов HR-GaAs:Cr | полупроводниковые материалы | физика поверхности полупроводников | HR-GaAs:Cr, методы получения | хромовые примеси акцепторные | HR-GaAs:Cr-сенсоры | HR-GaAs:Cr-сенсоры, спектрометрические характеристики | спектры амплитудные | рентгеновское излучение | гамма-излучение | бета-излучение | HR-GaAs:Cr, электрофизические свойства | носители электрического заряда HR-GaAs:Cr | дрейф носителей заряда HR-GaAs:Cr | сенсоры ионизирующих излучений твердотельныеGenre/Form: диссертацииOnline resources: Click here to access online
| Item type | Current library | Call number | Status | Date due | Barcode |
|---|---|---|---|---|---|
| Выдается в читальный зал | Книгохранилище | 2-046615 (Browse shelf (Opens below)) | Available | 13820001051256 |
Библиогр.: л. 133-150
Доступ в сети ТГУ
There are no comments on this title.