Normal view
MARC view
Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических полупроводников : 01.04.10 Пономарев Иван Викторович ; науч. рук. М. Д. Вилисова ; науч. конс. В. П. Гермогенов ; Том. гос. ун-т
Material type:
TextPublication details: Томск [б. и.] 2011Description: 130 л. илSubject(s): физика полупроводников | диссертации | арсенид галлия эпитаксиальный | детекторы полупроводниковые | ионизирующее излучение | диффузия хрома в арсениде галлия | эпитаксиальные слои нелегированные | эпитаксиально-диффузная технология | атомно-силовая спектроскопия | напряженность электрического поля | эпитаксия газофазная
| Item type | Current library | Call number | Status | Date due | Barcode |
|---|---|---|---|---|---|
| Выдается в читальный зал | Книгохранилище | 1-987633к (Browse shelf (Opens below)) | Available | 13820000787157 |
Библиогр.: л. 121 - 130
There are no comments on this title.