Влияние технологии постростовой обработки на порог оптического пробоя монокристалла ZnGeP2 Н. Н. Юдин, О. Л. Антипов, А. И. Грибенюков [и др.]
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Subject(s): оптический пробой | монокристаллы ZnGeP2 | нелинейная оптика | постростовая обработкаGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 64, № 11. С. 102-107Abstract: Определены пороги оптического пробоя монокристаллов ZnGeP2 производства ООО «ЛОК» (Россия) и производства Харбинского технологического института (Китай), которые составили W0d = 1.8 и 2.1 Дж/см2 соответственно при длине волны воздействующего лазерного излучения 2.097 мкм и частоте следования импульсов 10к Гц при длительности импульсов 35 нс. Исследовано влияние постростовой обработки монокристаллов ZnGeP2 (полировка рабочих поверхностей, нанесение просветляющих интерференционных покрытий) на порог оптического пробоя поверхности этих кристаллов. Установлено, что наличие конгломератов кремния в интерференционном просветляющем покрытии приводит к уменьшению порога оптического пробоя.
Библиогр.: 20 назв.
Ограниченный доступ
Определены пороги оптического пробоя монокристаллов ZnGeP2 производства ООО «ЛОК» (Россия) и производства Харбинского технологического института (Китай), которые составили W0d = 1.8 и 2.1 Дж/см2 соответственно при длине волны воздействующего лазерного излучения 2.097 мкм и частоте следования импульсов 10к Гц при длительности импульсов 35 нс. Исследовано влияние постростовой обработки монокристаллов ZnGeP2 (полировка рабочих поверхностей, нанесение просветляющих интерференционных покрытий) на порог оптического пробоя поверхности этих кристаллов. Установлено, что наличие конгломератов кремния в интерференционном просветляющем покрытии приводит к уменьшению порога оптического пробоя.
There are no comments on this title.