Normal view
MARC view
Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (10кэВ/а. е. м. ) и высоких ("1МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050С Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10 Акад. наук РФ. Сибирское отд-ние; Объединенный ин-т физики полупроводников; Науч. рук. И. В. Антонова, С. А. Смагулова
Material type:
TextPublication details: Новосибирск 2000Description: 167 л. графSubject(s): полупроводники | сопротивление | проводимость | электрокинетика | ионная имплантация | кристаллы | кремний | блистеринг | ионное облучение | инертные газы | дефектообразование | электрофизические свойства | кислород | азот | гидростатическое давление | Холла эффект | водород | термодоноры (физика полупроводников) | термообработка | диссертации
| Item type | Current library | Call number | Copy number | Status | Date due | Barcode |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Выдается в читальный зал | Книгохранилище | 1-838280к (Browse shelf (Opens below)) | 1 | Available | 13820000197622 |
Библиогр.: л. 157-167
There are no comments on this title.