Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 108 results.

    1.
    Экспериментальное исследование характеристик фотосмесителя на основе кадмиевого теллурида ртути А.В. Войцеховский, Ю.В. Лиленко

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Лиленко, Ю. В.

    Source: Материалы научно-практической конференции "Молодые ученые и специалисты Томской области в 9-й пятилетке". Секция физики твердого телаMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    2.
    Действие подсветки на фотоэлектрические параметры диодов из InAs С. В. Беляев, В. Н. Давыдов

    by Беляев, С. В | Давыдов, Валерий Николаевич.

    Source: Физика твердого тела : материалы VII Российской научной студенческой конференции, 16-18 мая 2000 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    3.
    Адиабатические и неадиабатические процессы в гомоэпитаксии на поверхности (001) GaAs из пучков As4 и Ga Ю. Г. Галицын, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов

    by Галицын, Юрий Георгиевич | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Мощенко, Сергей Павлович | Торопов, Александр Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    4.
    Фрактальный анализ поверхности полевых эмиттеров С. А. Иванов

    by Иванов, С. А.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов VI Российской научной студенческой конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    5.
    Наноразмерная модификация поверхности GaAs зондом атомно-силового микроскопа Д. В. Щеглов, Е. Е. Родякина, А. В. Латышев, А. Л. Асеев

    by Щеглов, Дмитрий Владимирович | Родякина, Екатерина Евгеньевна | Латышев, Александр Васильевич | Асеев, Александр Леонидович, 1946-.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    6.
    Химически приготовленная атомно-гладкая поверхность GaAs (100): морфология, реконструкции и электронные свойства О. Е. Терещенко, В. Л. Альперович, Н. С. Рудая [и др.]

    by Терещенко, Олег Евгеньевич | Альперович, Виталий Львович | Рудая, Нина Сергеевна | Латышев, Александр Васильевич | Терехов, Александр Сергеевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    7.
    Влияние режимов термообработки на свойства чувствительных элементов на основе SnO2 для портативных газоанализаторов В. Я. Квашко

    by Квашко, В. Я.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    8.
    Investigation of indium antimonide microcrystals irradiated with fast neutrons I. Bolshakova, R. Holyaka, C. Leroy, M. Kumada

    by Bolshakova, I | Holyaka, R | Leroy, C | Kumada, M.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    9.
    Multichannel magnetometer on the base of III-V semiconductor sensors I. Bolshakova, R. Holyaka, V. Erashok, M. Kumada

    by Bolshakova, I | Holyaka, R | Erashok, V | Kumada, M.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    10.
    Исследование особенностей сбора заряда в GaAs π-ν-n структурах, компенсированных Cr Е. Н. Авдеева, Л. С. Окаевич

    by Авдеева, Е. Н | Окаевич, Людмила Стефановна.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    11.
    Реконструкционный фазовый переход (2х4)α → (2х4)β на поверхности (001) GaAs, индуцированный адсорбцией тетрамера мышьяка Ю. Г. Галицын, В. Г. Мансуров, С. М. Мощенко, А. И. Торопов

    by Галицын, Юрий Георгиевич | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Мощенко, Сергей Павлович | Торопов, Александр Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    12.
    Применение радиационных технологий в производстве диодов Ганна А. В. Градобоев

    by Градобоев, Александр Васильевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    13.
    Рекомбинация экситонов, связанных на донорно-акцепторных парах, в δ-легированных GaAs/AlAs сверхрешетках второго ряда Д. В. Гуляев, А. М. Гилинский, А. И. Торопов [и др.]

    by Гуляев, Дмитрий Владимирович | Гилинский, Александр Михайлович | Торопов, Александр Иванович | Бакаров, Асхат Климович | Журавлев, Константин Сергеевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    14.
    Исследование конденсации аморфного мышьяка на атомарно-чистой поверхности GaAs (100) (4x2)/(8x2) методом in situ эллипсометрии А. В. Васев, С. И. Чикичев

    by Васев, Андрей Васильевич | Чикичев, Сергей Ильич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    15.
    Устойчивость к внешним воздействиям гетероструктур Me/Ga2Se3/GaAs с барьером Шоттки В. И. Арсентьев, Н. Н. Безрядин, Э. П. Домашевская, Г. И. Котов

    by Арсентьев, И. Н | Безрядин, Николай Николаевич | Домашевская, Эвелина Павловна | Котов, Геннадий Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    16.
    Получение и исследование свойств эпитаксиальных слоев GaN, выращенных мос-гидричным методом на подложках сапфира с использованием различных буферных слоев А. К. Афанасьев, А. А. Арендаренко, Б. А. Малюков [и др.]

    by Афанасьев, А. К | Арендаренко, А. А | Малюков, Б. А.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    17.
    Использование InP в качестве источника фосфора при выращивании фосфорсодержащих соединений Aᶦᶦᶦ Bᵛ методом молекулярно-лучевой эпитаксии В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Д. Ф. Феклин

    by Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Феклин, Дмитрий Федорович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    18.
    Исследование распределения потенциала в структурах на основе GaAs с глубокими центрами И. А. Ветров, Л. С. Окаевич

    by Ветров, И. А | Окаевич, Людмила Стефановна.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов VI Российской научной студенческой конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    19.
    Определение плотности молекулярных потоков элементов III и IV группы по показаниям ионизационного вакуумметра в установках молекулярно-лучевой эпитаксии В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Д. Ф. Феклин

    by Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Феклин, Дмитрий Федорович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    20.
    Application of D-T fast neutron source in neutron activation analysis M. E. Medhat

    by Medhat, M. E.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    21.
    Инверсные слои в структурах на основе AlxGa1-xSb О. В. Анисимов, О. Е. Калымбетов, Л. С. Хлудкова, О. В. Юрковский

    by Анисимов, Олег Викторович | Калымбетов, О. Е | Хлудкова, Людмила Станиславовна | Юрковский, О. В.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    22.
    Влияние облучения реакторными нейтронами на структуру монокристаллов InP Д. И. Меркурисов, В. Т. Бублик, М. И. Воронова [и др.]

    by Меркурисов, Денис Игоревич | Бублик, Владимир Тимофеевич | Воронова, Марина Игоревна | Колин, Николай Георгиевич | Щербачев, Кирилл Дмитриевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    23.
    Электрофизика GaAs слоев и особенности характеристик детекторов частиц высоких энергий на их основе Э. А. Ильичев, В. И. Егоркин, А. В. Кулаков [и др.]

    by Ильичев, Эдуард Анатольевич | Егоркин, Владимир Ильич | Кулаков, А. В.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    24.
    Structure of the CdxZn1-xTe solid solution - the material for photoelectronics G. S. Yurjev, S. F. Marenrin, V. N. Gus'kov, A. M. Natarovsky

    by Yurjev, G. S | Marenrin, S. F | Gus'kov, V. N | Natarovsky, A. M.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    25.
    Изделия микромеханики на основе арсенида галлия В. И. Юрченко

    by Юрченко, Василий Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    26.
    Исследование характеристик диодов Ганна с пространственно неоднородными параметрами электрических полей в диапазоне длин от 1 до 30 мкм В. И. Юрченко

    by Юрченко, Василий Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    27.
    Влияние реконструкции поверхности GaAs (001) на развитие микрорельефа при молекулярно-пучковой эпитаксии А. В. Попова

    by Попова, А. В.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    28.
    Proton (5 MeV) bombardment of InAs crystals V. N. Brudnyi, N. G. Kolin, A. I. Potapov

    by Brudnyi, Valentin N | Kolin, Nikolay G | Potapov, Alexander I.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    29.
    Образование радиационных дефектов в арсениде галлия В. В. Пешев

    by Пешев, Владимир Викторович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    30.
    Упорядочение латеральной неоднородности в контакте TiBx-GaAs Р. В. Конакова, В. В. Миленин, Д. И. Войциховский [и др.]

    by Конакова, Р. В | Миленин, В. В | Войциховский. Д. И | Литвин, П. М | Камалов, А. Б.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    31.
    Волноводный модулятор 8-мм диапазона длин волн на основе монолитной интегральной схемы В. Г. Божков, В. А. Геннеберг, И. В. Петров, А. В. Семенов

    by Божков, Владимир Григорьевич | Геннеберг, В. А | Петров, Игорь Владимирович физик | Семенов, Анатолий Васильевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    32.
    Особенности фотоотражения в тонких пленках n-GaAs Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, И. П. Казаков, А. В. Червяков

    by Авакянц, Лев Павлович | Боков, Павел Юрьевич | Казаков, Игорь Петрович | Червяков, Анатолий Васильевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    33.
    Ионно-лучева изоляция слоев GaAs n- и p- типа проводимости Ю. А. Данилов, J. P. Souza, H. I. Boudinov [и др.]

    by Данилов, Юрий Александрович | Souza, J. P | Boudinov, H. I | Пронин, А. В | Хохлов, Александр Федорович, 1945-2003.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    34.
    Минизонные спектры и оптические переходы в сверхрешетках (AlAs)m(AlxGa1-xAs)n(110) Г. Ф. Караваев, В. Н. Чернышов, Р. М. Егунов

    by Караваев, Геннадий Федорович | Чернышов, Виктор Николаевич | Егунов, Руслан Михайлович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    35.
    Многоканальная микросхема на арсениде галлия для регистрации, усиления и первичной обработки сигналов Б. Г. Налбандов, С. С. Шмелев, Э. А. Ильичев [и др.]

    by Налбандов, Б. Г | Шмелев, Сергей Сергеевич | Ильичев, Эдуард Анатольевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    36.
    Светоизлучающие диоды А. А. Вилисов

    by Вилисов, Анатолий Александрович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    37.
    Влияние облучения ионами водорода на электрофизические свойства металлургически и ядерно-легированного InSb В. Н. Брудный, И. В. Каменская, Н. Г. Колин

    by Брудный, Валентин Натанович | Каменская, Ирина Валентиновна | Колин, Николай Георгиевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    38.
    Фоновые спектры сверхрешеток (Ga1-xAlxAs)m (GaAs)n Е. Н. Прыкина, Ю. И. Полыгалов, А. В. Копытов

    by Прыкина, Елена Николаевна | Полыгалов, Юрий Иванович | Копытов, Анатолий Владимирович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    39.
    Вторичная структура кристаллов и эффект Ганна - новые подходы и перспективы Ю. И. Веснин

    by Веснин, Юрий Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    40.
    New approaches towards the creating of strong fields by means of permanent magnets and towards the development of sensor devices for their mapping M. Kumada, I. Bolshakova, R. Holyaka,

    by Kumada, M | Bolshakova, I | Holyaka, R.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    41.
    Дефектообразование в монокристаллах InSb, облученных найтронами Д. И. Меркурисова, В. Т. Бублик, М. И. Воронова [и др.]

    by Меркурисов, Денис Игоревич | Бублик, Владимир Тимофеевич | Воронова, Марина Игоревна | Колин, Николай Георгиевич | Щербачев, Кирилл Дмитриевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    42.
    Исследование фотоэлектрических свойств пленок КРТ, выращенных МЛЭ С. В. Шумкин, А. П. Коханенко

    by Шумкин, С. В | Коханенко, Андрей Павлович.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    43.
    Энергетический спектр и электронный транспорт в короткопериодных сверхрешетках InAs/GaAs В. А. Рогозин, В. А. Кульбачинский, Р. А. Лунин [и др.]

    by Рогозин, В. А | Кульбачинский, Владимир Анатольевич | Лунин, Роман Анатольевич | Мокеров, Владимир Григорьевич, 1940-2008 | Федоров, Ю. В | Хабаров, Ю. В.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    44.
    Математическая модель включения двухслойных цилиндрических объектов в ОР А. С. Поперечный

    by Поперечный, А. С.

    Source: Физика твердого тела : материалы VII Российской научной студенческой конференции, 16-18 мая 2000 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    45.
    Comparative study of SI GaAs detectors with Schottky barriers and epitaxial hing-doped layers E. Verbitskaya, T. J. Bowles, V. Eremin [et.al.]

    by Verbitskaya, E | Bowles, T. J | Eremin, V. K.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    46.
    Влияние обработки в низкоэнергетической плазме CF4 и последующего отжига на образование дефектов в псевдоморфных GaAs/AlGaAs/InGaAs/GaAs гетерострукткрах для мощных сверхвысокочастотных транзисторов Т. С. Шамирзаев, К. С. Журавлев, Ф. В. Вьюганов [и др.]

    by Шамирзаев, Тимур Сезгирович | Журавлев, Константин Сергеевич | [Вьюганов, Ф. В.] | Торопов, Александр Иванович | Бакаров, Асхат Климович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    47.
    Интенсивная критическая эмиссия 2D-электронов из диэлектрика в вакуум, индуцированная инжекцией наносекундного пучка в образец Д. И. Вайсбурд, К. Е. Евдокимов

    by Вайсбурд, Давид Израйлевич, 1937-2009 | Евдокимов, Кирилл Евгеньевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    48.
    Исследование механизмов влияния пространственно неоднородных сильных электрических полей на характеристики диодов Ганна в широком диапазоне отношений поперечного размера на размер в направлении движения домена В. И. Юрченко, В. С. Лукаш

    by Юрченко, Василий Иванович | Лукаш, Виталий Сергеевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    49.
    Влияние параметров сверхрешетки типа GaAs/AlxGa1-xAs на акустическое рассеяние квазидвумерных электронов С. И. Борисенко

    by Борисенко, Сергей Иванович | Борисенко, Сергей Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    50.
    Влияние технологических факторов на параметры солнечных элементов М. М. Михайлов, Д. Д. Каримбаев, Т. А. Копылова, А. С. Веревкин

    by Михайлов, Михаил Михайлович, 1941- | Каримбаев, Дамир Джамаллитдинович | Копылова, Т. А | Веревкин, А. С.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :