Normal view
MARC view
Применение метода фототока p - n перехода для измерения параметров полупроводниковых материалов И. М. Котина, Н. Е. Мазурик, С. Р. Новиков ; Акад. наук СССР, Физ-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Material type:
TextPublication details: Ленинград [б. и.] 1970Description: 27 с. рисSubject(s): полупроводниковые материалы | параметры полупроводников | измерения параметров | p-n-переходы | фототока метод | примесные зоны полупроводников | примесные зоны германиевые | фототоки, расчет | фотоэлектродвижущая сила в полупроводниках | примесные центры полупроводников | спектральное распределение излучения | время жизни носителей заряда
| Item type | Current library | Call number | Status | Date due | Barcode |
|---|---|---|---|---|---|
| Выдается в читальный зал | Книгохранилище | 1-096805 (Browse shelf (Opens below)) | Available | 13820000874494 |
Библиогр.: с. 27
There are no comments on this title.