Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Your search returned 2 results.

1.
Особенности формирования DX-центров примесями S и Si в InGaP "переходного" диапазона составов Ю. К. Крутоголов, В. Л. Крюков, Ю. И. Кунакин [и др.]

by Крутоголов, Ю. К | Крюков, Виталий Лукич | Кунакин, Ю. И | Матяш, А. А | Горбунов, Александр Константинович доктор физ.-мат. наук.

Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
2.
Влияние облучения реакторными нейтронами на структуру монокристаллов InP Д. И. Меркурисов, В. Т. Бублик, М. И. Воронова [и др.]

by Меркурисов, Денис Игоревич | Бублик, Владимир Тимофеевич | Воронова, Марина Игоревна | Колин, Николай Георгиевич | Щербачев, Кирилл Дмитриевич.

Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :