|
|
1.
|
|
|
|
2.
|
|
|
|
3.
|
|
|
|
4.
|
|
|
|
5.
|
|
|
|
6.
|
S-диод с оптическим управлением А. А. Бахнарюк, М. С. Скакунов by Бахнарюк, А. А | Скакунов, Максим Сергеевич. Source: Физика твердого тела : сборник материалов XI Российской научной студенческой конференции, 13-15 мая 2008 г., Томск, РоссияMaterial type:  Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
7.
|
|
|
|
8.
|
|
|
|
9.
|
|
|
|
10.
|
|
|
|
11.
|
|
|
|
12.
|
|
|
|
13.
|
Применение радиационных технологий в производстве диодов Ганна А. В. Градобоев by Градобоев, Александр Васильевич. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
14.
|
|
|
|
15.
|
|
|
|
16.
|
Светоизлучающие диоды А. А. Вилисов by Вилисов, Анатолий Александрович. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
17.
|
|
|
|
18.
|
|
|
|
19.
|
|
|
|
20.
|
|
|
|
21.
|
Разработка и исследование методов измерения параметров структур, кристаллов и диодов Ганна, имеющих пространственно неоднородные характеристики с высоким отношением D/L поперечного размера D к продольному L В. И. Юрченко, С. Н. Полисадов, С. В. Литвин, Н. М. Юрченко by Юрченко, Василий Иванович | Полисадов, С. Н | Литвин, С. В | Юрченко, Н. М. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
22.
|
|
|
|
23.
|
|
|
|
24.
|
|
|
|
25.
|
|
|
|
26.
|
|
|
|
27.
|
|
|
|
28.
|
|
|
|
29.
|
Улучшение характеристик мощных транзисторов интегральных схем на основе ионно-легированных структур арсенида галлия с использованием гидрогенизации в атомарном водороде А. В. Голиков, В. А. Кагадей, Е. В. Нефедцев [и др.] by Голиков, А. В | Кагадей, Валерий Алексеевич | Нефедцев, Евгений Валерьевич | Проскуровский, Дмитрий Ильич | Романенко, Святослав Валерьевич | Ромась, Лариса Михайловна | Широкова, Л. С. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
30.
|
|
|
|
31.
|
|
|
|
32.
|
|
|
|
33.
|
|
|
|
34.
|
|
|
|
35.
|
|
|
|
36.
|
|
|
|
37.
|
|
|
|
38.
|
|
|
|
39.
|
|
|
|
40.
|
|
|
|
41.
|
|
|
|
42.
|
|
|
|
43.
|
|
|
|
44.
|
|
|
|
45.
|
|
|
|
46.
|
|
|
|
47.
|
|
|
|
48.
|
|
|
|
49.
|
|
|
|
50.
|
|
