E-catalog        

Библиогр.: 37 назв.

Ограниченный доступ

Изготовлены три вида nBn -структур на основе теллурида кадмия - ртути, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В качестве барьерных слоев в nBn -структурах использовался Hg1-x Cd x Te при x = 0.67 и 0.84, а также сверхрешетка из 18 периодов Hg0.20Cd0.80Te (9 нм) - HgTe (2 нм). Для изучения свойств барьерных слоев на основе nBn -структур создавались МДП-приборы с использованием диэлектрических пленок Al2O3. Импеданс сформированных приборов исследован в широком диапазоне напряжений, частот и температур. Предложены эквивалентные схемы МДП-приборов на основе nBn -структур в режиме обогащения. Показано, что измерения частотных зависимостей импеданса позволяют определить значения дифференциального сопротивления барьерного слоя в широком диапазоне условий. Установлено, что определяемые значения дифференциального сопротивления определяются только объемной компонентой темнового тока, а компонента поверхностной утечки не оказывает влияния на измеряемый импеданс МДП-приборов. Определены зависимости значений элементов эквивалентной схемы от площади структур, напряжения и температуры. Показано, что значения дифференциального сопротивления барьерного слоя на основе Hg0.33Cd0.67Te в диапазоне температур 210-300 К при прямых смещениях определяются диффузионно-ограниченным потоком дырок из контактного слоя, а при обратных смещениях - из поглощающего слоя. Определены значения произведения дифференциального сопротивления на площадь для nBn -структур с различными параметрами барьерных слоев. Продемонстрированы возможности использования измерений импеданса МДП-приборов на основе nBn -структур для изучения однородности свойств различных слоев.