E-catalog        

Библиогр.: 20 назв.

В оптоэлектронике в последние годы исследователей заинтересовали соединения AIBIIICVI2 (AI-Cu, Ag; BIII-Ga, In ; CVI-S, Se) со структурой халькопирита и их твердые растворы. Это внимание объясняется главным образом перспективностью применения медь- и серебросодержащих представителей данных соединений (CuInS2, CuInSe2 и т.д.) с проводимостью p-типа в качестве поглощающего слоя тонкопленочных солнечных элементов. Лигатуры (AgGaSe2, PbSe) синтезировали в вакуумированных кварцевых ампулах из элементов, взятых в соответствующих соотношениях при 1 150 и 1 370 К в течение 3 ч с последующим охлаждением на воздухе. В качестве исходных материалов использовали Pb, Ag, Ga, Se высокой чистоты с содержанием основного вещества не менее 99,999%. Образцы отжигали при 600 К в течение 300-350 ч. Образцы разреза AgGaSe2-PbSe синтезировали при 1 150-1 370 К. Полученные образцы отжигали при 600 К в течение 350 ч. Методами РФА, ДТА и металлографического анализа, измерением микротвердости и плотности изучены фазовые равновесия в разрезе AgGaSе2-PbSе квазитройной системы Ag2Sе-Ga2Sез-PbSе. Построена Т-х фазовая диаграмма системы и установлено образование четверного соединения состава AgPb2GaSе4, образующегося при 1 110 К по перитектической реакции. Определены условия образования и изучены физико-химические свойства соединения AgPb2GaSe4. Установлено, что соединение AgPb2GaSе4 кристаллизуется в орторомбической сингонии с параметрами кристаллической решетки: а = 8,5201, b = 7,2311, с = 6,9203 Å, Пр.гр. Pmn21. Выявлено, что растворимость на основе AgGaSе2 при комнатной температуре достигает 12 мол. % (β-фаза), а на основе PbSе - 8 мол. % AgGaSе2.