Normal view
MARC view
Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями П. М. Карагеоргий-Алкалаев, А. Ю. Лейдерман ; под ред. М. С. Саидова ; Акад. наук УзССР, Физ.-техн. ин-т им. С. В. Стародубцева
Material type:
TextPublication details: Ташкент ФАН 1981Description: 199, [1] с. ил. 20 смSubject(s): Полупроводники - Фотопроводимость | фотопроводимость полупроводников | фоторезистор примесный | фотодиоды с p-n переходом | p-n диодные структуры | фотодиодный эффект примесный | оптоэлектронные системы | фотоприемники | диодные структуры | пробои сквозные | фотодиодные структуры | фоторезисторные структуры | инжекционное усиление | полупроводниковые диодные структуры | биполярное уравнение непрерывности | фотовозбуждение полупроводниковых структур | качественные исследования | биполярная диффузия | биполярный дрейф | примесные центры полупроводников | биполярный примесный эффект | токи примесных структур | оптронные схемы | примесные спектры размытые | фотомодуляция | инжекционные эффекты | рекомбинация в полупроводнике | инжекционная люминесценция | примесные спектры диффузные | примесные спектры дискретные | полупроводниковые структуры инжекционные | фотодиоды со сквозным пробоем | инжекционные токи
| Item type | Current library | Call number | Status | Date due | Barcode |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 месяц | Книгохранилище | 1-467671 (Browse shelf (Opens below)) | Available | 13820000506515 | |
| Выдается в читальный зал | Книгохранилище | 1-450616к (Browse shelf (Opens below)) | Available | 13820000766550 |
Библиогр. в конце глав
There are no comments on this title.